[发明专利]一种晶圆腐蚀装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体的制造技术领域，尤其涉及一种晶圆腐蚀装置。

背景技术

半导体行业晶圆制造过程中，需要对离子注入、扩散、光刻前需要对晶圆腐蚀处理，常见的腐蚀为去除表面光刻胶，去除表面二氧化硅氧化层，晶圆进入腐蚀槽体后，化学液腐蚀晶圆表面，以去除表面多余的物质。

目前市场的晶圆腐蚀装置主要有两种，一种为单片腐蚀晶圆装置，另一种为多片腐蚀装置，单片腐蚀装置仅仅为单个晶圆在利用喷淋化学液的方式对旋转晶圆进行腐蚀，其优点是晶圆的腐蚀均匀性较好，但是存在的主要缺点是效率较低、化学液消耗大，不利用工业化规模生产。因此在工业生产过程中大多采用多片腐蚀装置，多片腐蚀装置中，将多个晶圆放入晶圆盒中投放到腐蚀槽内，多片腐蚀过程中，由于槽体内化学液的浓度不均匀，槽体上下的温度不均，晶圆腐蚀过程中产生的气泡附着，导致晶圆表面的腐蚀均匀性存在很大的差异。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明旨在提供一种调整晶圆在化学腐蚀过程中的均匀性、提高腐蚀效率的晶圆腐蚀装置。

一种晶圆腐蚀装置，应用于对晶圆的表面物质腐蚀处理，其中，包括：

内箱体，所述内箱体内部形成一可拆卸设置的空腔，所述空腔用以承载有复数个所述晶圆的晶圆盒，于所述内箱体底部设置有一匹配一多边形旋转柱的槽；

外箱体，于所述内箱体间设置一预定间隔并完全覆盖所述内箱体；

传动装置，所述传动装置的驱动端连接一驱动单元，所述传动装置的输出端连接所述多边形旋转柱；

溢流泵，设置于所述内箱体内，用以提供一推动力推动盛放于所述内箱体的腐蚀溶液溢流入所述外箱体内；

其中，于所述溢流泵推动所述腐蚀溶液溢流入所述外箱体时，所述多边形旋转柱于所述传动装置的驱动下带动所述晶圆于流动的所述腐蚀液体中旋转。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，于所述内箱体底部还设置有匹配所述晶圆盒的片盒托架。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，与所述外箱体底部设置有一匹配所述多边形旋转柱的弧形凸起。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，所述内箱体的溢流口呈锯齿形。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，所述多边形旋转柱为五边形旋转柱。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，所述多边形旋转柱包括金属轴和以所述金属轴为多边形的内切圆心外接形成一内角相等、边长相等的正多边形空心柱。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，于所述多边形旋转柱与所述内箱体的连接处固定设置一卡合所述多边形旋转柱的卡套。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，所述金属轴由钛金属形成。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，所述传动装置包括依次连接的主齿轮、第一传动齿轮、第二传动齿轮，所述第二传动齿轮连接所述多边形旋转柱的所述轴伸端。

上述的晶圆腐蚀装置，其中，所述金属轴与所述正多边形空心柱通过热焊接固定连接，使得所述正多边形空心柱完全包覆所述金属轴。

与现有技术相比，本发明的优点是：

(1)驱动单元驱动传动装置旋转，传动装置带动与传动装置连接的多边形旋转柱转动，多边形旋转柱在转动过程中于放置晶圆盒内的晶圆相接触，每次接触过程中，多边形旋转柱的棱柱驱动晶圆按与多边形旋转柱相反的方向旋转，从而实现了晶圆在内箱体的旋转，提到了晶圆腐蚀的均匀性。

(2)晶圆旋转过程中，溢流泵推动力推动盛放于内箱体的腐蚀溶液溢流入外箱体内，使得晶圆能够被腐蚀溶液上下抛动腐蚀，提高了腐蚀溶液的利用率，在保证晶圆腐蚀的均匀性的基础上，大大提高了晶圆腐蚀的效率。

附图说明

图1为本发明的晶圆腐蚀装置的立体结构示意图；

图2为本发明的晶圆腐蚀装置的内箱体、外箱体的主视图；

图3为本发明的晶圆腐蚀装置中传动装置的结构示意图；

图4为本发明的晶圆腐蚀装置的主视图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。