[发明专利]一种降低DDR4DIMM的pin脚连锡风险的方法

说明书

技术领域

本发明涉及计算机内存改进技术领域，具体提供一种降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法。

背景技术

随着社会经济的发展，计算机由于其信息量大，获取信息简单方便等特点而在人们日常生活中的应用越来越广泛。随着使用需要不断的增多，使用者对计算机的内存要求越来越高，特别是大型企业对计算机的内存要求更是逐日增加。DDR4（DualDataRate）DIMM（Dual-lnline-Memory-Modules）插槽的pin脚（引脚）间距为0.8mm，在pin脚漏出PCB（PrintedCircuitBoardAssembly）长度超过0.5mm后，极易发生漏锡现象，且现有技术下传统的DDR4DIMM槽pin脚过于柔软，容易发生溃pin现象。一旦pin脚发生漏锡现象或者溃pin现象，都会对DDR4DIMM槽带来很大的影响，在使用过程中存在很大的风险，给计算机的使用带来局限性。

发明内容

本发明的技术任务是针对上述存在的问题，提供一种操作方法简单方便，并且有效解决pin脚连锡问题，降低pin脚溃pin现象降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法。

为实现上述目的，本发明提供了如下技术方案：

一种降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法，将传统的DDR4DIMMpin脚由扁平结构改为凹槽结构，凹槽结构的整体厚度比扁平结构的厚度增大10%，有效避免了传统pin脚过于柔软的问题。

作为优选，所述凹槽结构利用液态锡的液面张力，使液态锡沿着凹槽爬升，能够达到吃锡饱满且不外溢的效果，防止连锡pin脚。

由于凹槽结构比扁平结构更容易阻挡液态锡，并且能增加液态锡的液面张力，能够达到使液锡不外溢的效果。

作为优选，所述凹槽结构比偏平结构的刚性更好，可以有效增加pin脚强度，降低pin脚风险。

凹槽结构的结构面积相对增大，能够增加其刚性，相应的增加pin脚强度，进一步减少pin脚发生溃pin的风险。

作为优选，所述DDR4DIMMpin脚组装保持原有设备，制备方法保持不变。

本发明具有以下突出的有益效果：极大的提高DIMM使用的良率，降低产

品发生异常的概率，提高生产效率，降低返修费用；并且所述方法操作简单方便，仍然采用原来的设备及方法，具有良好的实用性。

附图说明

图1为扁平结构的pin脚示意图；

图2为本发明所述凹槽结构的pin脚示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明所述降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法作进一步详细说明。

在本发明中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上、下、左、右”通常是指参考附图所示的上、下、左、右；“内、外”是指相对于各部件本身的轮廓的内、外。

实施例

如图1所示，为现有技术中扁平结构的pin脚示意图。如图2所述为本发明所述降低DDR4DIMMpin脚连锡风险的方法中的凹槽结构的pin脚示意图。该方法中将传统的DDR4DIMMpin脚由扁平结构改为凹槽结构，凹槽结构的整体厚度比扁平结构的厚度增大10%，有效避免了传统pin脚过于柔软的问题。凹槽结构利用液态锡的液面张力，使液态锡沿着凹槽爬升，能够达到吃锡饱满且不外溢的效果，防止连锡pin脚。由于凹槽结构比扁平结构更容易阻挡液态锡，并且能增加液态锡的液面张力，能够达到使液锡不外溢的效果。凹槽结构比偏平结构的刚性更好，可以有效增加pin脚强度，降低pin脚风险。凹槽结构的结构面积相对增大，能够增加其刚性，相应的增加pin脚强度，进一步减少pin脚发生溃pin的风险。DDR4DIMMpin脚组装保持原有设备，制备方法保持不变，在DDR4DIMM槽pin脚冲压阶段，增加成型制程，将扁平结构的pin脚加工成凹槽结构的pin脚。

以上所述的实施例，只是本发明较优选的具体实施方式，本领域的技术人员在本发明技术方案范围内进行的通常变化和替换都应包含在本发明的保护范围内。