[发明专利]一种全氟烷烃中杂质的定性分析方法有效
申请号: | 201510906105.8 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN105510464B | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 黄华璠;徐海云;朱文冬;马卫东;孙秋丽;王志民;柳彤 | 申请(专利权)人: | 中国船舶重工集团公司第七一八研究所 |
主分类号: | G01N30/02 | 分类号: | G01N30/02;G01N30/08 |
代理公司: | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人: | 周蜜;仇蕾安 |
地址: | 056027*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 全氟烷烃 定性分析 定性 精细化工领域 气质联用仪 吸附剂吸附 样品预处理 分析检测 痕量杂质 气体样品 检出限 热脱附 吸附剂 富集 检测 分析 | ||
本发明涉及一种全氟烷烃中杂质的定性分析方法,属于精细化工领域。所述方法通过先对全氟烷烃气体进行样品预处理,将全氟烷烃和吸附剂接触,使杂质组分被吸附剂吸附,之后进行热脱附,得到杂质被富集的气体样品,再用气质联用仪对所述气体进行分析,从而对全氟烷烃中的杂质进行定性。所述方法对杂质的检测限可低至ppb级,解决了现有技术中全氟烷烃分析检测中存在的难以对杂质进行定性,检出限高,难以测出微量或痕量杂质的技术问题。
技术领域
本发明涉及一种全氟烷烃中杂质的定性分析方法,属于精细化工领域。
背景技术
高纯全氟烷烃,如六氟乙烷、八氟丙烷、八氟环丁烷等,作为电子器件的清洗剂和刻蚀剂,应用于半导体制造和电子工业。随着刻蚀精度要求越来越高,全氟烷烃的纯度要求也越来越高。一般而言,应用于大规模集成电路的高纯全氟烷烃要求纯度大于99.999%。
在全氟烷烃的制备过程中,往往涉及氟化或高温反应,放出大量热量,会发生碳-碳、碳-氟、碳-氢、碳-氯键的断裂和重构,产生大量的碎片、二聚物、多聚物或其它化合物。全氟烷烃中的杂质主要是由碳、氢、氟、氯四种元素组成的化合物,结构式为CnHxFyClz,包括烷烃x+y+z=2n+2,也包括烯烃或环烷烃x+y+z=2n,所述n、x、y和z均≥0且为整数。这些杂质种类繁多,有些浓度仅为ppm甚至ppb级。为了制得高纯全氟烷烃,需要对制备的粗品气进行进一步纯化,除去上述杂质。
现有的全氟烷烃纯化方法中,第一类是精馏的方法,但由于全氟烷烃中杂质种类很多,往往存在沸点和全氟烷烃接近或共沸的杂质,难以用精馏的方法进行纯化。第二类是吸附的方法,但有些杂质在吸附剂中的吸附容量很小,用这种方法难以除去。第三类是催化转化法,将沸点与全氟烷烃沸点接近的杂质,通过催化剂分解或转化成沸点和全氟烷烃沸点差别较大的杂质。第四类是膜分离法,现阶段膜分离的方法只能分离和全氟烷烃分子大小差别较大的物质,如氮气、氦气等,更适用于从含大量惰性气体的尾气中回收全氟烷烃。由于每种纯化方法都具有局限性,上述各种方法往往只对某几种特定的杂质有效,因此在选择纯化方法时,需要全氟烷烃中的杂质进行定性分析,确定全氟烷烃中杂质的种类,以选择合适的纯化方法,降低能耗。也需要对纯化后的气体进行检测,以确保高纯全氟烷烃产品的质量。
现有技术中,检测全氟烷烃中杂质的方法主要是气相色谱,采用氢火焰检测器(FID)或氦离子化检测器(PDHID)。这两种方法能满足微量杂质组分定量分析的要求,但是仅根据保留时间,难以判断是那种杂质,无法有效对杂质进行定性。由于杂质种类较多,市面上的标准气仅有有限的几种,相当多杂质无法用标准气进行比对。因此,对全氟烷烃,特别是高纯全氟烷烃中微量甚至痕量杂质进行定性,是一个亟待解决的问题。
发明内容
针对现有技术中全氟烷烃分析检测中存在的难以对杂质进行定性,检出限高,难以测出微量或痕量杂质的技术问题,本发明的目的在于提供一种全氟烷烃中杂质的定性分析方法,检测限可低至ppb级;所述方法通过先对全氟烷烃气体进行样品预处理,将全氟烷烃和吸附剂接触,使杂质组分被吸附剂吸附,之后进行热脱附,得到杂质被富集的气体样品,再用气质联用仪对所述气体进行分析,从而对全氟烷烃中的杂质进行定性。
本发明的目的是通过下述技术方案实现的。
一种全氟烷烃中杂质的定性分析方法,所述方法步骤如下:
(1)预处理
将吸附剂加热至100℃~300℃,用纯度≥99.999%的氮气以0.1L/min~10L/min的流速吹扫活化4h~8h后,降至室温;将全氟烷烃以0.1L/min~10L/min的流速和吸附剂接触0.5h~4h,加热至200℃~300℃热脱附0.5h~2h,得到预处理后的气体样品;
其中,吸附剂是粒径大小为0.5mm~5mm的活性炭、分子筛或碳分子筛,可以是粒状,粉状等形状;
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