[发明专利]一种功率放大器的功率控制电路

权利要求书

1.一种功率放大器的功率控制电路，其特征在于，包括：

由第一放大管M1、第二放大管M2、第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第一电阻R1、运算放大器A、第三P型MOS管MP3和驱动电路构成的电流控制环路；

由所述运算放大器A、所述第一电阻R1、所述第三P型MOS管MP3和系统函数电路H(s)构成的电压控制环路；

所述驱动电路的第一输入端为射频信号输入端，输出端同时与所述第一放大管M1的输入端、第二放大管M2的输入端相连；

所述第一放大管M1的接地端与所述第二放大管M2的接地端相连并接地，所述第一放大管M1的输出端与所述第一P型MOS管MP1的漏极相连，以及与所述第一P型MOS管MP1和所述第二P型MOS管MP2的共栅极一端相连；

所述第二放大管M2的输出端通过第三N型MOS管MN3与匹配网络的一端相连，所述匹配网络的另一端为射频输出端；

所述第三N型MOS管MN3与匹配网络相连的一端连接第一电感L1，所述第一电感L1的另一端并联一接地的第二电容C2，同时分别连接所述第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极；

所述第二P型MOS管MP2的漏极通过所述第一电阻R1接地，所述第二P型MOS管MP2的漏极与所述第一电阻R1相连的一端，分别与所述运算放大器A的第二输入端、所述H(s)网络电路的一端相连，；

所述运算放大器A的第一输入端接收基带控制电压Vramp，所述运算放大器A的输出端与所述第三P型MOS管MP3的栅极相连；

所述第三P型MOS管MP3的漏极分别与所述驱动电路的第二输入端、所述H(s)网络电路的另一端相连。

2.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，还包括：设置于所述第一放大管M1的输出端与所述第一P型MOS管MP1的栅极之间的第一滤波电路，包括：

一端与所述第一放大管M1的输出端相连，另一端与所述第一P型MOS管MP1的栅极相连的第二电阻R2；

所述第二电阻R2并联一接地的第一电容C1。

3.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，还包括：设置于所述第二P型MOS管栅极与节点之间的第二滤波电路，包括：

一端与所述第二P型MOS管MP2的栅极相连，另一端与所述节点相连的第三电阻；

所述第三电阻并联一接地的第三电容；

其中，所述节点为所述第一P型MOS管MP1的漏极、栅极的公共连接点。

4.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，所述第一放大管M1为第一N型MOS管MN1，所述第二放大管M2为第二N型MOS管MN2，

所述第一N型MOS管MN1的栅极作为所述第一放大管M1的输入端，源极作为所述第一放大管M1的接地端，漏极作为所述第一放大管M1的输出端；

所述第二N型MOS管MN2的栅极作为所述第二放大管M2的输入端，源极作为所述第二放大管M2的接地端，漏极作为所述第二放大管M2的输出端。

5.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，所述第一放大管M1为第一N型三极管Q1，所述第二放大管M2为第二N型三极管Q2，

所述第一N型三极管Q1的基极作为所述第一放大管M1的输入端，发射极作为所述第一放大管M1的接地端，集电极作为所述第一放大管M1的输出端；

所述第二N型三极管Q2的基极作为所述第二放大管M2的输入端，发射极作为所述第二放大管M2的接地端，集电极作为所述第二放大管M2的输出端。

6.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，所述驱动电路包括：前置驱动器和第一驱动器，其中，

所述前置驱动器的输入端作为所述驱动电路的第一输入端；

所述第一驱动器的第一输入端与所述前置驱动器的输出端相连，第二输入端作为所述驱动电路的第二输入端，输出端作为所述驱动电路的输出端。

7.根据权利要求1所述的功率控制电路，其特征在于，所述驱动电路包括：第二驱动器和偏置电路，其中，

所述第二驱动器的输入端作为所述驱动电路的第一输入端，输出端通过第四电容与所述偏置电路的输出端相连后作为所述驱动电路的输出端；

所述偏置电路的输入端作为所述驱动电路的第二输入端。