[发明专利]一种功率放大器的功率控制电路在审

专利信息
申请号: 201510907131.2 申请日: 2015-12-09
公开(公告)号: CN105305990A 公开(公告)日: 2016-02-03
发明(设计)人: 彭凤雄;何世海;钱永学;孟浩 申请(专利权)人: 北京中科汉天下电子技术有限公司
主分类号: H03G3/20 分类号: H03G3/20
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王宝筠
地址: 100084 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率放大器 功率 控制电路
【说明书】:

技术领域

本申请涉及手机通信技术领域,尤其涉及一种功率放大器的功率控制电路。

背景技术

在GSM(GlobalSystemforMobileCommunication,全球移动通信系统)系统中,为了降低干扰,需要在保证电平强度和信号质量的前提下,对基站收发信台BTS和移动台MS的功率放大器的功率进行控制。此外,对功率控制也可以延长手机的待机时间,并且在通话质量变差的情况下,能够适当提高手机的发射功率,从而保障通话质量。

目前,对功率放大器的功率控制方法分为电流控制和电压控制,电流控制技术又称为基极控制技术,为闭环控制,通过检测功率放大器输出级的电流来反映输出功率,通过在功率放大器输出级的电源上串联一个小sense电阻,sense电阻将电流信号转化为电压信号,控制电路通过检测sense电阻上的压降并与Vramp比较,比较输出的误差电压经过放大后通过调整功率放大器的偏置电压或电流来实现功率控制。电压控制技术又称为集电极控制技术,为开环控制,功率放大器的输出功率随电源电压增加而增加,控制器LDO(LowDropoutRegulator,低压差线性稳压器)输出电压为功率放大器提供供电电源,LDO的输出电压随Vramp增加而增加,所以功率放大器的输出功率也随Vramp增加而增加。

然而,由于电流控制技术需要精确的sense采样电阻,导致芯片无法集成;而电压控制技术由于控制器LDO需要PMOS管供电,其尺寸很大,成本较高,并且在功率放大器工作时,LDOPMOS管的电压降会降低整个功率放大器的效率。

发明内容

有鉴于此,本申请提供了一种功率放大器的功率控制电路,在实现功率放大器功率控制的基础上,避免由于使用sense采样电阻导致芯片无法集成,大PMOS管导致成本提高、降低功率放大器效率等问题的发生。

为了实现上述目的,本申请提供了以下技术方案:

一种功率放大器的功率控制电路,其特征在于,包括:

由第一放大管M1、第二放大管M2、第一P型MOS管MP1、第二P型MOS管MP2、第一电阻R1、运算放大器A、第三P型MOS管MP3和驱动电路构成的电流控制环路;

由所述运算放大器A、所述第一电阻R1、所述第三P型MOS管MP3和H(s)网络电路构成的电压控制环路;

所述驱动电路的第一输入端为射频信号输入端,输出端同时与所述第一放大管M1的输入端、第二放大管M2的输入端相连;

所述第一放大管M1的接地端与所述第二放大管M2的接地端相连并接地,所述第一放大管M1的输出端与所述第一P型MOS管MP1的漏极相连,以及与所述第一P型MOS管MP1和所述第二P型MOS管MP2的共栅极一端相连;

所述第二放大管M2的输出端通过第三N型MOS管MN3与匹配网络的一端相连,所述匹配网络的另一端为射频输出端;

所述第三N型MOS管MN3与匹配网络相连的一端连接第一电感L1,所述第一电感L1的另一端并联一接地的第二电容C2,同时分别连接所述第一P型MOS管MP1的源极、第二P型MOS管MP2的源极、第三P型MOS管MP3的源极;

所述第二P型MOS管MP2的漏极通过所述第一电阻R1接地,所述第二P型MOS管MP2的漏极与所述第一电阻R1相连的一端,分别与所述运算放大器A的第二输入端、所述H(s)网络电路的一端相连;

所述运算放大器A的第一输入端接收基带控制电压Vramp,所述运算放大器A的输出端与所述第三P型MOS管MP3的栅极相连;

所述第三P型MOS管MP3的漏极分别与所述驱动电路的第二输入端、所述H(s)网络电路的另一端相连。

优选的,还包括:设置于所述第一放大管M1的输出端与所述第一P型MOS管MP1的栅极之间的第一滤波电路,包括:

一端与所述第一放大管M1的输出端相连,另一端与所述第一P型MOS管MP1的栅极相连的第二电阻R2;

所述第二电阻R2并联一接地的第一电容C1。

优选的,还包括:设置于所述第二P型MOS管栅极与节点之间的第二滤波电路,包括:

一端与所述第二P型MOS管MP2的栅极相连,另一端与所述节点相连的第三电阻;

所述第三电阻并联一接地的第三电容;

其中,所述节点为所述第一P型MOS管MP1的漏极、栅极的公共连接点。

优选的,所述第一放大管M1为第一N型MOS管MN1,所述第二放大管M2为第二N型MOS管MN2,

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