[发明专利]原位合成具有二级孔洞结构的氧化镉纳米气敏元件在审
申请号: | 201510909360.8 | 申请日: | 2015-12-09 |
公开(公告)号: | CN105548274A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 杜希文;班圣光;凌涛 | 申请(专利权)人: | 天津大学 |
主分类号: | G01N27/12 | 分类号: | G01N27/12;G01N27/00;B81C1/00 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人: | 张宏祥 |
地址: | 300072*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原位 合成 具有 二级 孔洞 结构 氧化 纳米 元件 | ||
1.一种原位合成具有二级孔洞结构的氧化镉纳米气敏元件,具有如下步骤:
(1)氧化锌纳米棒阵列种子层的合成
①将乙二醇独甲醚作为溶剂,配置浓度为0.1M的醋酸锌和0.2M的乙醇胺的混合溶 液;以载玻片作为基底浸入上述溶液中30s,再将载玻片基底置于烘箱中干燥处理;重复 上述操作两次后,将上述载玻片基底在空气中于500℃退火处理1h,使得种子层与载玻片 基底牢固接触;
②将去离子水作为溶剂,配置浓度为0.025M的硝酸锌和0.025M的六次亚甲基四胺 的混合溶液;
取60-80ml的上述混合溶液于反应釜中,并将上述载玻片基底放入盛有混合溶液的反 应釜中,有种子层的一面朝下,混合溶液的高度恰好没过基片;
③将反应釜放入烘箱中,在100℃的温度下保温9小时,然后取出上述载玻片基底, 用去离子水小心地将载玻片基底上的白色沉淀物冲洗干净,得到氧化锌的纳米棒阵列。
(2)氧化镉纳米结构的合成及气敏器件的制备
①将0.05g的CdS粉末置于真空管式炉的中央,然后将上述长有氧化锌的纳米棒阵 列的载玻片基底放置于距离CdS粉末30cm处;
②将真空管式炉抽真空至100mTorr,再同时通入的氮气和空气,并将管内压力调节 至9Torr,升温至650℃,保温30min,自然冷却至室温,得到Cd的纳米片阵列;
③对上述得到的Cd的纳米片阵列的载玻片基底在空气中于360~440℃温度下保温 30min,氧化得到氧化镉的纳米结构;
④将生长有复合结构的载玻片基底裁剪成大小为0.5cm×1cm的矩形,并用银浆在两 端涂覆两条电极,再于100℃下保温6小时,制得具有二级孔洞结构的氧化镉纳米气敏器 件。
2.根据权利要求1所述的原位合成具有二级孔洞氧化镉纳米结构的气敏器件,其特征 在于,所述步骤(1)①的载玻片基底的规格为2cm×4cm。
3.根据权利要求1所述的原位合成具有二级孔洞氧化镉纳米结构的气敏器件,其特征 在于,所述步骤(2)②通入的空气的流量为250sccm,氮气的流量为45sccm。
4.根据权利要求1所述的原位合成具有二级孔洞氧化镉纳米结构的气敏器件,其特征 在于,本发明气敏原件的最佳工作温度为215℃。
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