[发明专利]原位合成具有二级孔洞结构的氧化镉纳米气敏元件在审

专利信息
申请号: 201510909360.8 申请日: 2015-12-09
公开(公告)号: CN105548274A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 杜希文;班圣光;凌涛 申请(专利权)人: 天津大学
主分类号: G01N27/12 分类号: G01N27/12;G01N27/00;B81C1/00
代理公司: 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 代理人: 张宏祥
地址: 300072*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 原位 合成 具有 二级 孔洞 结构 氧化 纳米 元件
【权利要求书】:

1.一种原位合成具有二级孔洞结构的氧化镉纳米气敏元件,具有如下步骤:

(1)氧化锌纳米棒阵列种子层的合成

①将乙二醇独甲醚作为溶剂,配置浓度为0.1M的醋酸锌和0.2M的乙醇胺的混合溶 液;以载玻片作为基底浸入上述溶液中30s,再将载玻片基底置于烘箱中干燥处理;重复 上述操作两次后,将上述载玻片基底在空气中于500℃退火处理1h,使得种子层与载玻片 基底牢固接触;

②将去离子水作为溶剂,配置浓度为0.025M的硝酸锌和0.025M的六次亚甲基四胺 的混合溶液;

取60-80ml的上述混合溶液于反应釜中,并将上述载玻片基底放入盛有混合溶液的反 应釜中,有种子层的一面朝下,混合溶液的高度恰好没过基片;

③将反应釜放入烘箱中,在100℃的温度下保温9小时,然后取出上述载玻片基底, 用去离子水小心地将载玻片基底上的白色沉淀物冲洗干净,得到氧化锌的纳米棒阵列。

(2)氧化镉纳米结构的合成及气敏器件的制备

①将0.05g的CdS粉末置于真空管式炉的中央,然后将上述长有氧化锌的纳米棒阵 列的载玻片基底放置于距离CdS粉末30cm处;

②将真空管式炉抽真空至100mTorr,再同时通入的氮气和空气,并将管内压力调节 至9Torr,升温至650℃,保温30min,自然冷却至室温,得到Cd的纳米片阵列;

③对上述得到的Cd的纳米片阵列的载玻片基底在空气中于360~440℃温度下保温 30min,氧化得到氧化镉的纳米结构;

④将生长有复合结构的载玻片基底裁剪成大小为0.5cm×1cm的矩形,并用银浆在两 端涂覆两条电极,再于100℃下保温6小时,制得具有二级孔洞结构的氧化镉纳米气敏器 件。

2.根据权利要求1所述的原位合成具有二级孔洞氧化镉纳米结构的气敏器件,其特征 在于,所述步骤(1)①的载玻片基底的规格为2cm×4cm。

3.根据权利要求1所述的原位合成具有二级孔洞氧化镉纳米结构的气敏器件,其特征 在于,所述步骤(2)②通入的空气的流量为250sccm,氮气的流量为45sccm。

4.根据权利要求1所述的原位合成具有二级孔洞氧化镉纳米结构的气敏器件,其特征 在于,本发明气敏原件的最佳工作温度为215℃。

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