[发明专利]一种用于硅外延生长的基片传送系统

权利要求书

1.一种用于硅外延生长的基片传送系统，其特征在于，包括进片盒（1）、大气机械手（2）、真空锁（5）、传送室（8）、真空机械手（9）及反应室（11），所述大气机械手（2）用来将进片盒（1）内的基片送入真空锁（5），所述真空锁（5）中设置有校准装置（6），所述校准装置（6）用来对基片位置进行修正；所述真空机械手（9）位于传送室（8）内，用于将基片从真空锁（5）送入反应室（11）；所述反应室（11）内设置有石墨基座（12），所述石墨基座（12）的上表面均布放置基片的凹槽。

2.根据权利要求1所述的用于硅外延生长的基片传送系统，其特征在于，所述真空锁（5）与大气机械手（2）之间、所述真空锁（5）与传送室（8）以及传送室（8）与反应室（11）之间均通过真空阀门进行隔断。

3.根据权利要求1所述的用于硅外延生长的基片传送系统，其特征在于，所述真空机械手（9）的终端手指为真空吸盘，从基片上方进行吸附。

4.根据权利要求3所述的用于硅外延生长的基片传送系统，其特征在于，所述真空吸盘的为石英材质吸盘。

5.根据权利要求1或2或3或4所述的用于硅外延生长的基片传送系统，其特征在于，所述真空锁（5）和传送室（8）的上表面进一步安装透明玻璃。

6.根据权利要求5所述的用于硅外延生长的基片传送系统，其特征在于，所述透明玻璃处设置有用于检测基片的光学探头（13），如果检查到大气机械手（2）或真空机械手（9）没有取到基片，则大气机械手（2）或真空机械手（9）重新取片。

7.根据权利要求1或2或3或4所述的用于硅外延生长的基片传送系统，其特征在于，还包括一取片盒（3），所述进片盒（1）与取片盒（3）位于大气机械手（2）的两端。