[发明专利]一种用于硅外延生长的基片传送系统

说明书

技术领域

本发明主要涉及到半导体材料制造设备领域，特指一种用于硅外延生长的基片传送系统。

背景技术

硅外延是在高温下通过气相化学反应，在抛光的硅单晶片上生长一层或多层硅单晶薄膜，通过控制生长条件，可以获得不同电阻率、不同厚度及不同型号的外延层，主要用于制造各种硅集成电路和分立器件中重要的基础材料。

在现有技术中，硅外延生长的基片放在石墨基座上，石墨基座通过感应加热而获得基片生长所需的温度。石墨基座上开有凹槽用于放置基片，凹槽的大小比基片直径略大。在工艺过程中，硅除了在基片上外延生长外，在石墨基座上也会生长。如果基片位置发生偏差，在凹槽中的位置不一样，随着工艺次数的增加，在凹槽中基片没有覆盖的地方会出现硅生长物形成的台阶，导致再次放置的基片不能放平，与石墨基座之间不能完全贴合，最终会影响外延生长的均匀性。由此可见，硅外延生长对基片放置到凹槽中的位置精度要求非常高，每次放片的位置须高度重合。因此，设计一套传送精度高的基片传送系统对硅外延生长设备显得至关重要。

发明内容

本发明要解决的技术问题就在于：针对现有技术存在的技术问题，本发明提供一种提高传送精度、提高传送可靠性的用于硅外延生长的基片传送系统。

为解决上述技术问题，本发明采用以下技术方案：

一种用于硅外延生长的基片传送系统，包括进片盒、大气机械手、真空锁、传送室、真空机械手及反应室，所述大气机械手用来将进片盒内的基片送入真空锁，所述真空锁中设置有校准装置，所述校准装置用来对基片位置进行修正；所述真空机械手位于传送室内，用于将基片从真空锁送入反应室；所述反应室内设置有石墨基座，所述石墨基座的上表面均布放置基片的凹槽。

作为本发明的进一步改进：所述真空锁与大气机械手之间、所述真空锁与传送室以及传送室与反应室之间均通过真空阀门进行隔断。

作为本发明的进一步改进：所述真空机械手的终端手指为真空吸盘，从基片上方进行吸附。

作为本发明的进一步改进：所述真空吸盘的为石英材质吸盘。

作为本发明的进一步改进：所述真空锁和传送室的上表面进一步安装透明玻璃。

作为本发明的进一步改进：所述透明玻璃处设置有用于检测基片的光学探头，如果检查到大气机械手或真空机械手没有取到基片，则大气机械手或真空机械手重新取片。

作为本发明的进一步改进：还包括一取片盒，所述进片盒与取片盒位于大气机械手的两端。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明的用于硅外延生长的基片传送系统，结构简单紧凑、自动化程度高，能够实现硅外延生长的基片在片盒与反应室内的石墨基座之间的传送，并且真空锁内设置有校准装置，大气机械手传片结束后再对基片位置进行修正，从而避免了大气机械手传送片对基片传送精度的影响，提高了传送片的精确性与可靠性。

附图说明

图1是本发明在具体应用实例中的结构原理示意图。

图例说明：

1、进片盒；2、大气机械手；3、取片盒；4、第一真空阀门；5、真空锁；6、校准装置；7、第二真空阀门；8、传送室；9、真空机械手；10、第三真空阀门；11、反应室；12、石墨基座；13、光学探头。

具体实施方式

以下将结合说明书附图和具体实施例对本发明做进一步详细说明。

如图1所示，本发明的用于硅外延生长的基片传送系统，包括进片盒1、大气机械手2、取片盒3、真空锁5、传送室8、真空机械手9及反应室11，其中进片盒1与取片盒3位于大气机械手2的两端，大气机械手2用来将进片盒1内的基片送入真空锁5，真空锁5中设置有校准装置6，真空机械手9位于传送室8内，用于将基片从真空锁5送入反应室11。反应室11内设置有石墨基座12，石墨基座12的上表面均布放置基片的凹槽。通过上述结构，基片经大气机械手2从进片盒1中取出放置到校准装置6上，由校准装置6对基片位置修正后，再由真空机械手9将基片送至反应室11内石墨基座12的凹槽内。校准装置6上的基片托盘作为大气机械手2放置基片的终端位置，完成校准修正后的基片位置作为真空机械手9的始端位置。

进一步，真空锁5与大气机械手2之间、真空锁5与传送室8以及传送室8与反应室11之间均通过真空阀门进行隔断。在本实例中，真空锁5与大气机械手2之间用第一真空阀门4隔断，真空锁5与传送室8之间用第二真空阀门7隔断，传送室8与反应室11之间用第三真空阀门10隔断。