[发明专利]一种抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造有效
申请号: | 201510915796.8 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN105355400B | 公开(公告)日: | 2017-07-11 |
发明(设计)人: | 马光同;周鹏博;王志涛 | 申请(专利权)人: | 西南交通大学 |
主分类号: | H01F27/36 | 分类号: | H01F27/36;H05K9/00;H01F38/14 |
代理公司: | 成都信博专利代理有限责任公司51200 | 代理人: | 张澎 |
地址: | 610031 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 抑制 提高 磁场 传输 效率 构造 | ||
1.一种抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造,用在包括交流变压器和互感器等磁交变装置中抑制漏磁提高交变磁场传输效率,在磁交变装置中:初级线圈(2)绕在铁芯(1)的一端,并且经过初级线圈接头(3)与交流电源相连;次级线圈(5)绕在铁芯(1)的另一端,通过外接引线(7)与负载相连;其特征在于,铁芯(1)上未被线圈包覆的部分具有由超导层(401)与铁磁层(402)交替叠绕而成的超导体-铁磁体异质结构屏蔽层(4)。
2.根据权利要求1所述的抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造,其特征在于,屏蔽层(4)是由超导层(401)和铁磁层(402)交替叠绕而成。
3.根据权利要求1所述的抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造,其特征在于,所用的超导层(401)是由高温超导材料制成,且工作在液氮或制冷机所冷却的某一温区。
4.根据权利要求1或3所述的抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造,其特征在于,屏蔽层(4)中的超导层(401)由低温绝缘胶带将超导短样无缝接成长条状或沿铁芯(1)的周向随铁磁层一起裹绕。
5.根据权利要求1所述的抑制漏磁提高交变磁场传输效率的构造,其特征在于,磁能传输装置的结构可为线形、环形或其他外形结构。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学,未经西南交通大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510915796.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。