[发明专利]加热处理装置和加热处理方法有效
申请号: | 201510916892.4 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN105702603B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 水田诚人;川路辰也;中野圭悟 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/324 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;王雪燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热 处理 装置 方法 | ||
1.一种对形成于衬底的涂敷膜进行加热处理的加热处理装置,其特征在于,包括:
设置在处理容器内,载置衬底的载置部;
用于对载置于所述载置部的衬底进行加热的加热部;
俯视时沿周向设置在比所述载置部上的衬底靠外侧的位置,用于对所述处理容器内供气的供气口,所述供气口包括在比所述衬底低的位置开口的部位;
俯视时沿周向设置在比所述载置部上的衬底靠外侧的位置,用于对所述处理容器内排气的外周排气口,所述外周排气口包括在比所述衬底高的位置开口的部位;
设置在所述载置部上的衬底的中央部的上方侧,用于对所述处理容器内排气的中央排气口;
圆筒形状的排气室,在该排气室的底面设置所述外周排气口的开口的部位;和
中央排气管,其以贯通所述排气室的方式设置,
所述中央排气口与所述中央排气管的一端侧连接,从所述供气口流到所述外周排气口的气流以包围所述衬底的方式形成气幕。
2.如权利要求1所述的加热处理装置,其特征在于:
包括开闭部件,其对用于将衬底搬入到所述处理容器内或从所述处理容器内搬出的搬入搬出口进行开闭,
所述气幕形成于比所述开闭部件靠衬底侧的位置。
3.如权利要求1或2所述的加热处理装置,其特征在于:
从所述衬底的加热开始时到设定时刻为止,至少从所述外周排气口排气,在所述设定时刻之后至少从所述中央排气口排气,其中,所述设定时刻为经过了设定时间的时刻或者衬底的温度超过了设定温度的时刻。
4.如权利要求3所述的加热处理装置,其特征在于:
至少从所述衬底的加热开始时到所述设定时刻为止,从所述外周排气口和中央排气口同时排气。
5.如权利要求3所述的加热处理装置,其特征在于:
至少在所述设定时刻之后,从所述外周排气口和中央排气口同时排气。
6.如权利要求3所述的加热处理装置,其特征在于:
至少在所述设定时刻之后,所述中央排气口的排气量多于所述外周排气口的排气量。
7.如权利要求3所述的加热处理装置,其特征在于:
所述外周排气口的排气和所述中央排气口的排气的至少一方的排气量随着时间的经过而增加或者减少。
8.如权利要求3所述的加热处理装置,其特征在于:
所述涂敷膜包含交联剂,所述设定时刻为由所述交联剂引发的交联反应结束的时刻。
9.如权利要求1或2所述的加热处理装置,其特征在于,包括:
喷射器,其经由排气路径与所述中央排气口连接,使得通过吸引用的气体的流通来吸引排气流;和
用于对所述喷射器进行吸引用的气体的供给、停止的供给/停止机构。
10.如权利要求9所述的加热处理装置,其特征在于:
包括用于加热所述吸引用的气体的机构。
11.如权利要求9所述的加热处理装置,其特征在于:
所述喷射器的排出侧与由排气设备排气的下游侧排气路径连接,
设置有旁通用的喷射器,其排出侧与所述下游侧排气路径连接,通过吸引用的气体的流通来吸引所述排气流的流路之外的气体,
在所述供给/停止机构停止了所述吸引用的气体的供给时,使吸引用的气体流通到所述旁通用的喷射器。
12.如权利要求11所述的加热处理装置,其特征在于:
在所述中央排气口与吸引排气流的所述喷射器之间的排气路径设置有压损部,使得在为了停止所述排气流的吸引而停止了吸引用的气体的供给时抑制来自所述中央排气口的排气。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造