[发明专利]加热处理装置和加热处理方法

说明书

本发明提供一种在对形成于晶片的涂敷膜进行加热处理时，能够防止升华物向处理容器外部泄露且对于涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。在将涂敷有SOC膜的晶片载置于处理容器(1)内，加热晶片使交联反应进行时，一边从中央排气口(34)以少的流量排气，并从外周排气口(31)以大的流量排气，一边使交联反应进行。在另一例中，从晶片的加热开始起仅进行外周排气口(31)的排气，从晶片的加热开始起20秒后除了从外周排气口(31)排气之外，还从中央排气口(34)排气。在又一例中，从晶片的加热开始的20秒间仅从外周排气口(31)排气，之后，停止外周排气口(31)的排气，并且从中央排气口(34)排气。

技术领域

本发明涉及在处理容器内载置涂敷有涂敷液的衬底后，对容器内进行排气并加热衬底的加热处理装置、加热处理方法和存储介质。

背景技术

在半导体的制造步骤中，由于电路图案的精细化而使得抗蚀剂图案变得容易倒塌，对此研究了多种对策。作为对策之一，进行如下方法：将抗蚀剂图案转印到形成于半导体晶片(以下称为“晶片”)的下层膜，将下层膜的图案用作蚀刻掩模来进行晶片的蚀刻。作为这样的下层膜，要求等离子体耐性高且蚀刻耐性高，例如使用通过旋涂法形成的碳膜(SOC(Spin on Carbon)膜)。

涂敷有SOC膜的晶片在涂敷处理后被加热来促进残留在涂敷膜中的溶剂的干燥和交联剂的交联反应，但此时会从涂敷膜产生升华物。作为进行这样的加热处理的加热处理装置，例如已知有如专利文献1记载的那样，利用环形开闭部件封闭加热衬底的热板的周围，从环形开闭部件的周围将惰性气体取入到处理空间内，并且从晶片的中心部上方侧排气并进行加热处理的装置。

近年来，为了提高SOC膜的等离子体耐性，要求提高含碳率，作为该方法进行在比现有的温度(300℃)高的温度(350～400℃)下的加热。但是，在加热温度提高的情况下，除了从SOC膜所含的交联剂等升华的升华物之外，低分子聚合物等也飞散，因此升华物的量增加。因此，为了防止升华物从处理容器内泄露到的外部需要增多排气量，但是在该情况下存在冲撞晶片的表面的中央部的气流增多，涂敷膜隆起，使膜厚的面内均匀性恶化的问题。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2000－124206号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于提供一种在对形成于衬底的涂敷膜进行加热处理时，防止升华物向处理容器的外部的泄露，并且，涂敷膜的膜厚能够获得良好的面内均匀性的技术。

用于解决技术问题的技术方案

本发明的加热处理装置是对形成于衬底的涂敷膜进行加热处理的加热处理装置，其特征在于，包括：

设置在处理容器内，载置衬底的载置部；

用于对载置于上述载置部的衬底进行加热的加热部；

俯视时沿周向设置在比上述载置部上的衬底靠外侧的位置，用于对上述处理容器内供气的供气口；

俯视时沿周向设置在比上述载置部上的衬底靠外侧的位置，用于对上述处理容器内排气的外周排气口；和

设置在上述载置部上的衬底的中央部的上方侧，用于对上述处理容器内排气的中央排气口。

本发明的加热处理方法是对形成于衬底的涂敷膜进行加热处理的加热处理方法，其特征在于，包括：

在设置于处理容器内的载置部载置上述衬底，对上述衬底进行加热的步骤；