[发明专利]具有减小的形状因子和增强的热耗散的集成功率组件

权利要求书

1.一种集成功率组件，包括：

印刷电路板；

第一引线框，具有在所述印刷电路板上的局部蚀刻段和非蚀刻 段；

第一半导体裸片，被配置用于附接至所述第一引线框的所述局部 蚀刻段；

第二引线框，具有无腿导电夹；

第二半导体裸片，定位在所述第一半导体裸片上方并且通过所述 无腿导电夹被耦合至所述第一半导体裸片。

2.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第二半导体 裸片通过所述第二引线框的局部蚀刻导电夹和所述第一引线框的至 少一个所述非蚀刻段被耦合至所述印刷电路板。

3.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第一半导体 裸片上的漏极电极通过所述无腿导电夹被耦合至所述第二半导体裸 片上的源极电极。

4.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第一半导体 裸片包括第一功率晶体管，所述第一功率晶体管具有在所述第一半导 体裸片的底表面处的源极电极和栅极电极以及在所述第一半导体裸 片的顶表面上的漏极电极。

5.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第二半导体 裸片包括第二功率晶体管，所述第二功率晶体管具有在所述第二半导 体裸片的底表面处的源极电极和栅极电极以及在所述第二半导体裸 片的顶表面上的漏极电极。

6.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第二半导体 裸片包括第二功率晶体管，所述第二功率晶体管具有在所述第二半导 体裸片的底表面处的源极电极以及在所述第二半导体裸片的顶表面 上的漏极电极和栅极电极。

7.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第一半导体 裸片包括第一功率晶体管，并且所述第二半导体裸片包括第二功率晶 体管。

8.根据权利要求7所述的集成功率组件，其中所述第一功率晶 体管和所述第二功率晶体管中的至少一个包括硅。

9.根据权利要求7所述的集成功率组件，其中所述第一功率晶 体管和所述第二功率晶体管中的至少一个包括氮化镓(GaN)。

10.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第一半导 体裸片包括同步晶体管，并且所述第二半导体裸片包括以半桥耦合至 所述同步晶体管的控制晶体管。

11.根据权利要求1所述的集成功率组件，其中所述第一半导 体裸片包括IV族晶体管，并且所述第二半导体裸片包括与所述IV族 晶体管共源共栅的III-V族晶体管。

12.一种集成功率组件，包括：

印刷电路板；

第一引线框，具有在所述印刷电路板上的局部蚀刻段和非蚀刻 段；

第一半导体裸片，具有被配置用于附接至所述第一引线框的所述 局部蚀刻段的第一功率开关；

第二引线框，具有无腿导电夹；

第二半导体裸片，具有定位在所述第一半导体裸片上方的第二功 率开关，其中所述第二功率开关的源极电极通过所述无腿导电夹被耦 合至所述第一功率开关的漏极电极。

13.根据权利要求12所述的集成功率组件，其中所述第二半导 体裸片通过所述第二引线框的局部蚀刻导电夹和所述第一引线框的 至少一个所述非蚀刻段被耦合至所述印刷电路板。

14.根据权利要求12所述的集成功率组件，其中所述第一功率 开关和所述第二功率开关中的至少一个包括硅。

15.根据权利要求12所述的集成功率组件，其中所述第一功率 开关和所述第二功率开关中的至少一个包括氮化镓(GaN)。

16.根据权利要求12所述的集成功率组件，所述第一功率开关 包括同步晶体管，并且所述第二功率开关包括以半桥耦合至所述同步 晶体管的控制晶体管。