[发明专利]用于制造半导体器件的方法在审
申请号: | 201510918239.1 | 申请日: | 2015-12-10 |
公开(公告)号: | CN105789074A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 冲嶋和彦 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 李辉;董典红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:
(a)利用接合材料涂覆引线框的芯片安装区域;
(b)在步骤(a)之后,在所述接合材料上方放置半导体芯片;
(c)在步骤(b)之后,在所述接合材料处于熔化状态的情况将 工具按压在所述半导体芯片的上表面上,然后使所述接合材料硬化; 以及
(d)在步骤(c)之后,从所述半导体芯片释放所述工具,并通 过所述接合材料将所述半导体芯片安装在所述芯片安装区域上方;
其中,所述工具包括第一部分和第二部分,所述第一部分具有第 一表面作为沿着用于支撑所述芯片安装区域的支撑部件的支撑表面 的表面,所述第二部分具有与所述第一表面相交的第二表面,并且
其中,在步骤(c)中,在所述工具的所述第一部分的所述第一 表面被按压在所述半导体芯片的上表面上并且所述工具的所述第二 部分被按压在所述引线框上的同时,所述接合材料被硬化。
2.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中, 所述接合材料是焊料材料。
3.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中, 在步骤(c)中,将所述工具一次按压在多个所述半导体芯片的上表 面上。
4.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中,在所述引线框中以矩阵图案布置多个半导体器件形成区 域,并且
其中,在步骤(c)中,将所述工具一次按压至在与所述引线框 的传送方向相交的方向上布置的一行中的半导体芯片的上表面上。
5.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中,在所述工具的所述第一表面中制作凹部,并且
其中,在步骤(c)中,将所述工具的所述第一表面中除所述凹 部之外的区域按压在所述半导体芯片的上表面上。
6.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中, 按压方向上的所述工具的所述第二部分的所述第二表面的高度等于 所述半导体芯片的厚度与组装所述半导体器件之后的所述接合材料 的厚度的总和。
7.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中, 在步骤(c)中,将所述工具的所述第二部分按压在所述引线框中的 半导体器件形成区域的外部部分上。
8.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,其中, 在步骤(c)中,当处于熔化状态的所述接合材料具有比所述接合材 料的固相温度更高的温度时,将所述工具按压在所述半导体芯片上。
9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法,其中, 在步骤(c)中,将所述工具按压在所述半导体芯片上直到所述接合 材料的温度变得低于所述固相温度,然后从所述半导体芯片释放所述 工具。
10.根据权利要求1所述的用于制造半导体器件的方法,
其中,将用于冷却所述工具的冷却单元耦合至所述工具。
11.一种用于制造半导体器件的方法,包括以下步骤:
(a)提供组件,所述组件具有通过焊料膏放置在引线框的芯片 安装区域上方的半导体芯片;
(b)在步骤(a)之后,在将工具按压在所述半导体芯片的上表 面上的同时使所述组件经过回流炉以使所述焊料膏熔化;
(c)在步骤(b)之后,从所述回流炉中取出所述组件并使所述 焊料膏硬化;以及
(d)在步骤(c)之后,从所述半导体芯片释放所述工具,并通 过焊料材料将所述半导体芯片安装在所述芯片安装区域上方,
其中,所述工具包括第一部分和第二部分,所述第一部分具有第 一表面作为沿着用于支撑所述芯片安装区域的支撑部件的支撑表面 的表面,所述第二部分具有与所述第一表面相交的第二表面,并且
其中,在步骤(b)中,在所述工具的所述第一部分的所述第一 表面被按压在所述半导体芯片的上表面上并且所述工具的所述第二 部分被按压在所述引线框上的同时,所述焊料膏被硬化。
12.根据权利要求11所述的用于制造半导体器件的方法,
其中,在所述引线框中以矩阵图案布置多个半导体器件形成区 域,并且
其中,在步骤(b)中,将所述工具一次按压在多行中的所述半 导体芯片的上表面上,每一行都包括在与用于所述引线框的传送方向 相交的方向上布置的多个半导体芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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