[发明专利]一种光刻版以及光刻方法在审

专利信息
申请号: 201510919531.5 申请日: 2015-12-11
公开(公告)号: CN106873306A 公开(公告)日: 2017-06-20
发明(设计)人: 胡骏 申请(专利权)人: 无锡华润上华科技有限公司
主分类号: G03F1/38 分类号: G03F1/38;H01L21/027
代理公司: 北京市磐华律师事务所11336 代理人: 高伟,冯永贞
地址: 214028 江苏省无*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 光刻 以及 方法
【权利要求书】:

1.一种光刻版,包括:

光刻版主体,

滑轨,位于所述光刻版主体的边缘;

若干遮蔽挡板,卡设于所述滑轨之中,用于部分地覆盖所述光刻版主体。

2.根据权利要求1所述的光刻版,其特征在于,所述滑轨设置于所述光刻版中相对的两侧的边缘。

3.根据权利要求1所述的光刻版,其特征在于,所述遮蔽挡板位于所述光刻版主体的上方。

4.一种光刻方法,包括:

步骤S1:提供待光刻硅片,所述待光刻硅片表面由下至上有待图形化材料层和光刻胶层;

步骤S2:提供光刻版,并确定所述光刻版的透光率;

步骤S3:根据所述光刻版的透光率的大小调整所述光刻版的曝光区域,以控制所述光刻版的透光率在目标值以内,然后对选定的所述曝光区域进行曝光;

步骤S4:以所述光刻胶层为掩膜进行所述待图形化材料层的图形化处理;

其中,在所述步骤S3中当所述光刻版中选择曝光的区域为部分区域时,则重复所述步骤S3和S4对未曝光的区域进行曝光,直至完成所述光刻版的全部区域的曝光,最终在所述待蚀刻材料层中形成目标图形。

5.根据权利要求4所述的光刻方法,其特征在于,所述光刻版的透光率的目标值为60%。

6.根据权利要求4或5所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比大于所述目标值时,将所述光刻版划分为若干区域,并分若干次进行曝光。

7.根据权利要求4或5所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比大于所述目标值时,将所述光刻版划分为第一区域和第二区域,并分两次进行曝光。

8.根据权利要求4或5所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比小于或等于所述目标值时,将所述光刻版一次全部曝光。

9.根据权利要求4所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中,对选定的所述曝光区域进行曝光的同时,将所述光刻版的剩余区域进行遮蔽。

10.根据权利要求4所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S1中,在所述待光刻硅片上形成有CMOS器件,所述待图形化材料层为金属层,在所述金属层上形成有所述光刻胶层,以在所述步骤S4中形成金属互连。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司,未经无锡华润上华科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510919531.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top