[发明专利]一种光刻版以及光刻方法在审
申请号: | 201510919531.5 | 申请日: | 2015-12-11 |
公开(公告)号: | CN106873306A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 胡骏 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/38 | 分类号: | G03F1/38;H01L21/027 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人: | 高伟,冯永贞 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 光刻 以及 方法 | ||
1.一种光刻版,包括:
光刻版主体,
滑轨,位于所述光刻版主体的边缘;
若干遮蔽挡板,卡设于所述滑轨之中,用于部分地覆盖所述光刻版主体。
2.根据权利要求1所述的光刻版,其特征在于,所述滑轨设置于所述光刻版中相对的两侧的边缘。
3.根据权利要求1所述的光刻版,其特征在于,所述遮蔽挡板位于所述光刻版主体的上方。
4.一种光刻方法,包括:
步骤S1:提供待光刻硅片,所述待光刻硅片表面由下至上有待图形化材料层和光刻胶层;
步骤S2:提供光刻版,并确定所述光刻版的透光率;
步骤S3:根据所述光刻版的透光率的大小调整所述光刻版的曝光区域,以控制所述光刻版的透光率在目标值以内,然后对选定的所述曝光区域进行曝光;
步骤S4:以所述光刻胶层为掩膜进行所述待图形化材料层的图形化处理;
其中,在所述步骤S3中当所述光刻版中选择曝光的区域为部分区域时,则重复所述步骤S3和S4对未曝光的区域进行曝光,直至完成所述光刻版的全部区域的曝光,最终在所述待蚀刻材料层中形成目标图形。
5.根据权利要求4所述的光刻方法,其特征在于,所述光刻版的透光率的目标值为60%。
6.根据权利要求4或5所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比大于所述目标值时,将所述光刻版划分为若干区域,并分若干次进行曝光。
7.根据权利要求4或5所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比大于所述目标值时,将所述光刻版划分为第一区域和第二区域,并分两次进行曝光。
8.根据权利要求4或5所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比小于或等于所述目标值时,将所述光刻版一次全部曝光。
9.根据权利要求4所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S3中,对选定的所述曝光区域进行曝光的同时,将所述光刻版的剩余区域进行遮蔽。
10.根据权利要求4所述的光刻方法,其特征在于,在所述步骤S1中,在所述待光刻硅片上形成有CMOS器件,所述待图形化材料层为金属层,在所述金属层上形成有所述光刻胶层,以在所述步骤S4中形成金属互连。
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