[发明专利]一种光刻版以及光刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种光刻版以及光刻方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展，集成电路性能的提高主要是通过不断缩小集成电路器件的尺寸以提高它的速度来实现的。随着器件尺寸的不断缩小，给制造和设计等诸多方面带来很大挑战，器件的稳定性以及良率成为衡量半导体器件性能的一个重要因素。

在芯片制备中通常需要进行光刻和蚀刻步骤，例如在芯片制造流程中，金属导线图形的定义包括光刻、刻蚀、去胶等几个环节。如图1a-1b所示，在光刻步骤，先在介电层101上方的金属层102表面涂上一层光刻胶层103，然后光透过光刻版，照射在光刻胶层103表面，从而定义处光刻图形。然后刻蚀步骤通过反应气体对金属的轰击和反应，完成金属层102的刻蚀，得到金属导线。刻蚀步骤在去除金属层的同时，大量的反应副产物会随之产生，我们称之为聚合物(polymer)，堆积在晶圆表面，如图1c右侧图案以及图1d所示。最后需通过湿法去胶清洗步骤，将聚合物去除，得到清洁的晶圆表面。

现有方法的缺点在于：由于产品设计的缘故，不同产品的光刻版的透光率不同，也就是说金属导线的密度不同。透光率较低的产品(clear ratio<60％)，要刻蚀的区域较少，金属导线所占的面积相对较大。而透光率较高的产品(clear ratio>60％)，要刻蚀的区域较多，金属导线所占的面积较小。如图1d所示，对于透光率较高的产品，由于需要刻蚀的面积过大，反应副产物聚合物较重，后面的湿法去胶步骤没有能力将其彻底清除，会导致晶圆表面聚合物的残留，造成产品低良率和报废。

另外，目前并没有针对光刻版进行遮蔽的设备，已有的遮挡功能是将挡板加在机台端的光源和光刻版之间，这种方法对光的遮挡精准度较低，被遮挡的区域一般仍会有部分光衍射过来，在不需要曝光的区域产生图形，使器件性能和良率降低。对于大规模生产，也时常会出现报废风险。

因此，需要对目前所述光刻方法作进一步的改进，以便消除上述问题。

发明内容

在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。

本发明为了克服以上提到的至少一个技术问题，提供了一种光刻版，包括：

光刻版主体，

滑轨，位于所述光刻版主体的边缘；

若干遮蔽挡板，卡设于所述滑轨之中，用于部分地覆盖所述光刻版主体。

可选地，所述滑轨设置于所述光刻版中相对的两侧的边缘。

可选地，所述遮蔽挡板位于所述光刻版主体的上方。

本发明还提供了一种光刻方法，包括：

步骤S1：提供待光刻硅片，所述待光刻硅片表面由下至上有待图形化材料层和光刻胶层；

步骤S2：提供光刻版，并确定所述光刻版的透光率；

步骤S3：根据所述光刻版的透光率的大小调整所述光刻版的曝光区域，以控制所述光刻版的透光率在目标值以内，然后对选定的所述曝光区域进行曝光；

步骤S4：以所述光刻胶层为掩膜进行所述待图形化材料层的图形化处理；

其中，在所述步骤S3中当所述光刻版中选择曝光的区域为部分区域时，则重复所述步骤S3和S4对未曝光的区域进行曝光，直至完成所述光刻版的全部区域的曝光，最终在所述待蚀刻材料层中形成目标图形。

可选地，所述光刻版的透光率的目标值为60％。

可选地，在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比大于所述目标值时，将所述光刻版划分为若干区域，并分若干次进行曝光。

可选地，在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比大于所述目标值时，将所述光刻版划分为第一区域和第二区域，并分两次进行曝光。

可选地，在所述步骤S3中当所述光刻版的透光率比小于或等于所述目标值时，将所述光刻版一次全部曝光。

可选地，在所述步骤S3中，对选定的所述曝光区域进行曝光的同时，将所述光刻版的剩余区域进行遮蔽。

可选地，在所述步骤S1中，在所述待光刻硅片上形成有CMOS器件，所述待图形化材料层为金属层，在所述金属层上形成有所述光刻胶层，以在所述步骤S4中形成金属互连。