[发明专利]阵列基板、显示面板以及阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

多个矩阵排列的TFT；

平坦化层，形成于所述多个TFT之上；

公共电极层，形成于所述平坦化层之上；

钝化层，形成于所述公共电极层之上；以及

像素电极层，形成于所述钝化层之上，所述像素电极层通过依次设置的所述钝化层的接触孔、所述公共电极层的接触孔和所述平坦化层的接触孔电连接至对应的TFT的漏极；

所述平坦化层包括平坦区域以及自所述平坦化层的接触孔的边缘过渡到所述平坦区域的斜坡区域；所述公共电极层的接触孔的边缘位于所述平坦化层的斜坡区域；

所述公共电极层的接触孔的直径大于所述平坦化层的接触孔，所述平坦化层的接触孔大于钝化层的接触孔的直径；

所述钝化层的接触孔、所述公共电极层的接触孔和所述平坦化层的接触孔三个接触孔同心；

所述平坦化层和所述钝化层分别从上下两个方向一起包覆了所述公共电极层；

所述斜坡区域包括第一斜坡区域和第二斜坡区域，所述第一斜坡区域环绕所述平坦化层的接触孔设置，所述第二斜坡区域环绕所述第一斜坡区域设置，所述第一斜坡区域的倾角大于第二斜坡区域；所述公共电极层的接触孔的边缘位于所述第二斜坡区域；

所述公共电极层的接触孔的边缘处具有一倾角，所述倾角小于等于30°。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，自所述平坦化层的接触孔的边缘到所述平坦区域的距离大于等于所述平坦化层厚度的1.5倍，且小于等于所述平坦化层厚度的2倍。

3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，自所述平坦化层的接触孔的边缘到所述平坦区域的距离等于所述平坦化层厚度的1.7倍。

4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层的接触孔的边缘位于所述第二斜坡区域。

5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一斜坡区域的倾角小于等于50°，所述第二斜坡区域的倾角小于等于30°。

6.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层的接触孔的边缘与所述平坦化层的接触孔的边缘相距1.75um至3um。

7.一种显示面板，其特征在于，包括相对设置的对置基板和阵列基板，所述阵列基板为权利要求1至6中任意一项所述的阵列基板。

8.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一TFT基板，包括多个矩阵排列的TFT；

于所述TFT基板之上形成平坦化层，在所述平坦化层上形成若干接触孔，所述平坦化层包括平坦区域以及自所述平坦化层的接触孔的边缘过渡到所述平坦区域的斜坡区域；

于所述平坦化层之上形成公共电极层，在所述公共电极层形成若干接触孔，所述公共电极层的接触孔的边缘位于所述斜坡区域；

于所述公共电极层之上形成钝化层，在所述钝化层形成若干接触孔，所述公共电极层的接触孔的直径大于所述平坦化层的接触孔，所述平坦化层的接触孔大于钝化层的接触孔的直径；以及，

于所述钝化层之上形成像素电极层，所述像素电极层通过依次层叠设置的所述钝化层的接触孔、公共电极层的接触孔和平坦化层的接触孔电连接至对应的TFT的漏极；

所述钝化层的接触孔、所述公共电极层的接触孔和所述平坦化层的接触孔三个接触孔同心；

所述平坦化层和所述钝化层分别从上下两个方向一起包覆了所述公共电极层；

所述斜坡区域包括第一斜坡区域和第二斜坡区域，所述第一斜坡区域环绕所述平坦化层的接触孔设置，所述第二斜坡区域环绕所述第一斜坡区域设置，所述第一斜坡区域的倾角大于第二斜坡区域；所述公共电极层的接触孔的边缘位于所述第二斜坡区域；

所述公共电极层的接触孔的边缘处具有一倾角，所述倾角小于等于30°。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制造方法，其特征在于，自所述平坦化层的接触孔的边缘到所述平坦区域的距离等于所述平坦化层厚度的1.7倍。