[发明专利]横向耦合多模单片滤波器

说明书

横向耦合多模单片滤波器。一种横向耦合多模单片滤波器包括：衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；以及多个信号电极，所述多个信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且彼此并联布置，所述第二表面与所述第一表面相反，所述多个信号电极中的每一个包括第一电极指和第二电极指，其中，所述第一电极指和所述第二电极指具有不同的电位；所述多个信号电极中的相邻信号电极彼此相距一定距离，所述距离大于所述第一电极指和所述第二电极指的节距。

技术领域

本发明的特定方面涉及横向耦合多模单片滤波器。

背景技术

高频通信系统使用例如2GHz或更大的高频带来执行高速且大容量通信。作为用于高频器件的滤波器，已经知道使用具有高声速的压电膜的横向耦合多模单片滤波器。横向耦合多模单片滤波器具有被设计为具有跨越压电膜形成的地电极和信号电极的结构。信号电极包括如在例如日本专利申请公开号2009-188484和2009-188599中公开的施加有信号的两个或更多个电极。

然而，信号电极的纵横比在滤波器的输入阻抗和输出阻抗被调节时可能增加。信号电极的纵横比的增加导致应力集中于压电膜并且可能导致破裂等。另选地，声波可能在信号电极的横向方向上泄露。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种横向耦合多模单片滤波器，该横向耦合多模单片滤波器包括：衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；以及多个信号电极，所述多个信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且彼此并联布置，所述第二表面与所述第一表面相反，所述多个信号电极中的每一个包括第一电极指和第二电极指，其中，所述第一电极指和所述第二电极指具有不同的电位；所述多个信号电极中的相邻信号电极彼此相距一定距离，所述距离大于所述第一电极指和所述第二电极指的节距。

根据本发明的另一方面，提供了一种横向耦合多模单片滤波器，该横向耦合多模单片滤波器包括：衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；以及信号电极，该信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且包括第一电极指和第二电极指，所述第二表面与所述第一表面相反，所述第二电极指具有与所述第一电极指的电位不同的电位，其中，所述压电膜在所述第一电极指和所述第二电极指的布置方向上在所述信号电极的外侧的至少一部分被去除。

根据本发明的另一方面，提供了一种横向耦合多模单片滤波器，该横向耦合多模单片滤波器包括：衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；信号电极，该信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且包括第一电极指和第二电极指，所述第二表面与所述第一表面相反，所述第二电极指具有与所述第一电极指的电位不同的电位；以及介电膜，该介电膜在所述第一电极指和所述第二电极指的布置方向上形成在在所述信号电极的外侧的所述压电膜中并且与所述压电膜不同。

根据本发明的另一方面，提供了一种横向耦合多模单片滤波器，该横向耦合多模单片滤波器包括：衬底；压电膜，该压电膜形成在所述衬底上；地电极，该地电极形成在所述压电膜的第一表面上；信号电极，该信号电极形成在所述压电膜的第二表面上并且包括第一电极指和第二电极指，所述第二表面与所述第一表面相反，所述第二电极指具有与所述第一电极指的电位不同的电位；以及反相电极，该反相电极在所述第一电极指和所述第二电极指的布置方向上在所述信号电极的外侧包括第三电极指和第四电极指，所述第三电极指具有与所述第一电极指的电位相同的电位，所述第四电极指具有与所述第二电极指的电位相同的电位，其中，彼此相邻的所述第一电极指和所述第三电极指具有相同的电位，或者彼此相邻的所述第二电极指和所述第四电极指具有相同的电位。

附图说明

图1A是根据第一比较例的滤波器的平面图，并且图1B是沿着图1A中的线A-A截取的横截面图；

图2A和图2B是例示了压电膜相对于位置的位移的图，并且图2C是频率对衰减的图；