[发明专利]一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法在审
| 申请号： | 201510921399.1 | 申请日： | 2015-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN106876517A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 黎剑骑;顾君 | 申请（专利权）人： | 浙江鸿禧能源股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 314205 浙江省嘉*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 硅片 扩散 黑点 去除 方法 | ||
1.一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，其包括如下步骤：
S1.将扩散后小黑点硅片进行喷蜡掩膜处理；
S2.用HNO3与HF混合液去除所述硅片非掩膜区域小黑点；
S3.用KOH与BDG混合液去除所述硅片石蜡掩膜残留物；
S4.用去离子水清洗所述硅片并烘干。
2.根据权利要求1所述的一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，其特征在于：所述的S1根据印刷图形需要，可掩膜成不同图形，具体方法为，打印与丝网栅线图案一样的有机材料掩膜作为腐蚀阻挡层。
3.根据权利要求1所述的一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，其特征在于：所述的S2 HNO3与HF的混合液配置比例为HF：HNO3：DI-water=1:9:16，混合液具体制备方法为：先向槽体中加入140L去离子水，然后加入9L浓度为49%的HF， 再加入80L浓度为69%的HNO3，反应时间为60s～70s，反应温度为15±2℃，腐蚀深度控制在15nm～30nm。
4.根据权利要求1所述的一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，其特征在于：所述的S3 KOH与BDG混合液配置比例KOH：BDG：DI-water=1:4:60，混合液具体制备方法为：先向槽体中加入120L去离子水，然后加入2L浓度为48%的KOH，再加入8L浓度为99.7%的BDG，反应时间为80s～90s，反应温度为25±5℃。
5.根据权利要求1所述的一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，其特征在于：所述的S4去离子水清洗所述硅片后，进行烘干，烘干温度30℃～50℃，烘干时间5s～10s。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江鸿禧能源股份有限公司，未经浙江鸿禧能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201510921399.1/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种汽车检测设备
- 下一篇：一种智能非线性农村快递车路况测量分析装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
