[发明专利]一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法

说明书

技术领域

本发明涉及晶硅太阳能电池片制造领域，具体地涉及一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法。

背景技术

多晶硅太阳电池制造工艺流程包括制绒、扩散、刻蚀、镀膜、丝网印刷、烧结、分类检测，其中扩散的目的是为了在硅片内部形成多晶硅太阳电池的心脏PN结，在此工序中由于受外部环境洁净度以及扩散本身环境洁净度不良影响，很容易导致扩散后硅片表面出现小黑点现象，此类硅片流入后道工序，会产生因镀膜后外观降级、成品电池片外观降级导致的不合格品。

目前，针对扩散后小黑点硅片直接做返工处理，其返工处理流程为首先将扩散后小黑点硅片重新制绒，腐蚀掉表面PN结以及小黑点区域，然后进行扩散处理，此方法因再次制绒对硅片进行腐蚀，使得绒面变大、反射率升高，从而效率降低；再次制绒时腐蚀量增加使得硅片会变薄，导致硅片碎片率增多，且重新制绒、再次扩散期间时间消耗，导致产量降低，从而增加了生产成本。

发明内容

本发明的目的是提供一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，克服了因再次制绒以及扩散后效率低、碎片率高、耗时长、增加生产成本问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用的技术解决方案是提供一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法，其包括如下步骤：

S1.将扩散后小黑点硅片进行喷蜡掩膜处理；

S2.用HNO₃与HF混合液去除所述硅片非掩膜区域小黑点；

S3.用KOH与BDG混合液去除所述硅片石蜡掩膜残留物；

S4.用去离子水清洗所述硅片并烘干。

其中S1根据印刷图形需要，可掩膜成不同图形，具体方法为，打印与丝网栅线图案一样的有机材料掩膜作为腐蚀阻挡层；

其中S2 HNO₃与HF的混合液配置比例为HF：HNO₃：DI-water=1:9:16，混合液具体制备方法为：先向槽体中加入140L去离子水，然后加入9L浓度为49%的HF， 再加入80L浓度为69%的HNO₃，反应时间为60s～70s，反应温度为15±2℃，腐蚀深度控制在15nm～30nm；

其中S3 KOH与BDG混合液配置比例KOH：BDG：DI-water=1:4:60，混合液具体制备方法为：先向槽体中加入120L去离子水，然后加入2L浓度为48%的KOH，再加入8L浓度为99.7%的BDG，反应时间为80s～90s，反应温度为25±5℃；

其中S4去离子水清洗所述硅片后，进行烘干，烘干温度30℃～50℃，烘干时间5s～10s。

本发明的有益效果是：通过上述腐蚀过程不仅能将小黑点去除，不会改变硅片绒面状态，能够保证绒面正常；反射率降低，且硅片腐蚀量仅增加1.5mg～1.7mg，最大程度的保证了硅片原始厚度，不会因腐蚀量过多导致硅片变薄从而生产过程中碎片率高现象，从而克服了因再次制绒以及扩散后效率低、碎片率高、耗时长、增加生产成本问题。

附图说明

图1本发明提供技术方案的工艺流程图

图2采用现有工艺对多晶硅片扩散后小黑点再次处理的绒面形貌图

图3采用本发明提供的多晶硅片扩散后小黑点去除的方法制备的绒面形貌图

图4采用现有工艺和本发明提供的技术方案制备的多晶硅片的反射率对比图。

具体实施方式

下面结合附图对本发明提供的技术方案作进一步详细说明。

在本实施方式中，对多晶硅扩散后小黑点的硅片采用现有工艺和本发明采用的技术方案分别进行处理，下面分别对两种实验方案的实验过程及实验结果进行对比分析。

实验一：采用现有工艺对多晶硅扩散后小黑点的硅片进行重新制绒，腐蚀掉表面PN结以及小黑点区域，然后进行扩散处理，处理后的硅片的绒面形貌图如图2所示，反射率的数据如图4所示。采用本技术方案对多晶硅扩散后小黑点的硅片进行重新制绒后腐蚀量0.12g。

实验二：采用本发明提供的一种多晶硅片扩散后小黑点去除的方法采用的技术方案，具体步骤如下：