[发明专利]一种刻蚀吸废模具及其制造工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种刻蚀吸废模具及其制造工艺。

背景技术

刻蚀，英文为Etch，它是半导体制造工艺，微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中 的一种相当重要的步骤。是与光刻相联系的图形化（pattern）处理的一种主要工艺。所谓刻 蚀，实际上狭义理解就是光刻腐蚀，先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理，然后通过其它 方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。随着微制造工艺的发展；广义上来讲，刻蚀成了通过 溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称，成为微加工制造的一种普适 叫法。

理想的刻蚀工艺必须具有以下特点：①各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向 钻蚀。这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形；② 良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都 比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为 过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料；③加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用 于工业生产。湿法刻蚀这是传统的刻蚀方法。把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中， 使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如，用一种含 有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的 工艺称为“湿法”工艺，其优点是操作简便、对设备要求低、易于实现大批量生产，并且刻蚀 的选择性也好。但是，化学反应的各向异性较差，横向钻蚀使所得的刻蚀剖面呈圆弧形。这 不仅使图形剖面发生变化，而且当稍有过刻蚀时剖面会产生如图中的虚线，致使薄膜上图 形的线宽比原抗蚀剂膜上形成的线宽小2墹x，并且墹x随过刻蚀时间迅速增大。这使精确控 制图形变得困难。湿法刻蚀的另一问题，是抗蚀剂在溶液中，特别在较高温度的溶液中易受 破坏而使掩蔽失效，因而对于那些只能在这种条件下刻蚀的薄膜必须采用更为复杂的掩蔽 方案。

而在刻蚀过程中产生的废料的处理，已成为各个生产厂家关注的目标，刻蚀过程 中产生的废料若不能及时得到清除，将会对后续的处理过程产生影响，甚至会影响最终处 理效果，而现有技术中，大多专注刻蚀废液的处理，而对刻蚀过程中产生的废料的处理并未 有太多关注。

如专利公开号：CN104986771A，公开了一种多晶硅制绒刻蚀废液的处理方法，它包 括以下步骤：（a）在搅拌条件下，向废液中加入碱金属化合物反应至不再产生沉淀，过滤得 第一沉淀和第一滤液；（b）在搅拌条件下，向所述第一滤液中加入碱土金属化合物反应至不 再产生沉淀，过滤得第二沉淀和第二滤液；（c）对所述第二滤液进行浓缩结晶得硝酸盐固 体。本发明多晶硅制绒刻蚀废液的处理方法，通过向废液中加入碱金属化合物反应至不再 产生沉淀，过滤后向滤液中加入碱土金属化合物再过滤，最后浓缩，这样能够将废液中的氟 硅酸根离子、氟离子除去，并得到氟硅酸盐、氟化盐及硝酸盐固体，既能够保护环境，又能够 产生新的经济效益。

发明内容

为解决上述存在的问题，本发明的目的在于提供一种刻蚀吸废模具及其制造工 艺，所述模具结构简单，使用方便，可有效吸收刻蚀过程中产生的废料，提升使用效率，且制 造工艺简单，制造效率高。

为达到上述目的，本发明的技术方案是：

一种刻蚀吸废模具，包括：一第一离型纸层，形状为方形；若干第一双面胶层，形状为条 形，沿第一离型纸层宽度方向放置，并沿第一离型纸层长度方向等距平行设置于所述第一 离型纸层离型面上，其表面沿长度方向间隔设有一第一条形孔及第一方孔；若干复合胶层， 分别层叠设置于所述第一双面胶层上表面，由第二离型纸层及设置于所述第二离型纸层离 型面的第二双面胶层层叠形成，包括连接部及设置于所述连接部宽度方向一端的凸起部， 所述连接部形状与第一双面胶层形状相对应，其表面沿长度方向间隔开设有第二条形孔及 第二方孔，所述第二条形孔与凸起部位于第二方孔两侧；所述复合胶层通过第二双面胶层 设置于所述第一双面胶层上表面；所述第一离型纸层表面开设有若干通孔组，每通孔组中 的通孔分别设置于各复合胶层连接部宽度方向相对凸起部的另一侧及连接部长度方向一 侧。

进一步，所述第一离型纸层为格拉辛纸层。

另，所述第一离型纸层离型力为3~5gf/in。

另有，所述第一双面胶层和第二双面胶层分别为3MCDB610背胶层。