[发明专利]一种隧穿场效应晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述隧穿场效应晶体管包括：

衬底，所述衬底具有第一掺杂类型；

鳍形区域，凸出设于所述衬底中部；

源区，所述源区具有第二掺杂类型，设于所述衬底一侧以及部分鳍形区域上；

嵌入反型注入层，所述嵌入反型注入层具有第一掺杂类型，设于所述源区以及鳍形区域的重叠区域内，在鳍形垂直沟道内，所述嵌入反型层与源区在水平方向和垂直方向上均形成隧穿结；

栅介质层，覆盖所述鳍形区域之上；

栅导电层，设于所述栅介质层上，以及

漏区，所述漏区具有第一掺杂类型，设于所述衬底的另一侧。

2.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅介质层由二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者高介电常数的绝缘材料构成。

3.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅导电层为掺杂多晶硅、金属或者合金。

4.根据权利要求1所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述栅介质层由二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者高介电常数的绝缘材料构成；所述栅导电层为掺杂多晶硅、金属或者合金。

5.根据权利要求1～4任一所述的隧穿场效应晶体管，其特征在于，所述第一掺杂类型为P型，则第二掺杂类型为N型，或者第一掺杂类型为N型，则第二掺杂类型为P型。

6.一种隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S01，提供一具有第一掺杂类型的衬底；

步骤S02，采用光刻和刻蚀工艺对所述衬底进行刻蚀，以在所述衬底上形成鳍形区域；

步骤S03，采用光刻工艺在所述衬底一侧以及鳍形区域定义出源区，并通过离子注入工艺形成具有第二掺杂类型的源区；

步骤S04，采用光刻工艺在所述源区以及鳍形区域的重叠区域内定义出嵌入反型注入层，并通过离子注入工艺形成具有第一掺杂类型的嵌入反型注入层；

步骤S05，在所述鳍形区域表面依次形成栅介质层以及栅导电层；

步骤S06，采用光刻工艺在所述衬底另一侧上定义出漏区，并通过离子注入工艺形成具有第一掺杂类型的漏区。

7.根据权利要求6所述的隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅介质层由二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或者高介电常数的绝缘材料构成。

8.根据权利要求6所述的隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述栅导电层为掺杂多晶硅、金属或者合金。

9.根据权利要求6～8任一所述的隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤S02中，对所述衬底的刻蚀深度为10纳米～1微米。

10.根据权利要求6～8任一所述的隧穿场效应晶体管的制造方法，其特征在于，所述步骤S04中，采用斜角方式的离子注入工艺形成具有第一掺杂类型的嵌入反型注入层，其中，离子注入的倾斜角度为10～45度。