[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一基板，在所述基板上形成缓冲层，其中，所述缓冲层包括间隔设置的第一缓冲区和第二缓冲区；

在形成有所述缓冲层的所述基板上形成栅极金属层，其中，所述栅极金属层包括栅极、栅极金属线，所述栅极金属层位于所述第一缓冲区和第二缓冲区之间；

在形成有所述栅极金属层的所述基板上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述栅极金属层和所述缓冲层；

在形成有所述栅极绝缘层的所述基板上形成半导体有源层，其中，所述半导体有源层位于所述栅极金属层的上方；

在形成有所述半导体有源层的所述基板上形成蚀刻阻挡层，其中，所述蚀刻阻挡层包括间隔设置的第一阻挡区、第二阻挡区和第三阻挡区，其中，所述第二阻挡区部分覆盖所述半导体有源层以使所述半导体有源层从所述第一阻挡区和所述第二阻挡区的间隙以及所述第二阻挡区和所述第三阻挡区的间隙外露；

在形成有所述蚀刻阻挡层的所述基板上形成源漏极金属层，其中，所述源漏极金属层包括源极和漏极，所述源极位于所述第一阻挡区和所述第二阻挡区之间，所述漏极位于所述第二阻挡区和所述第三阻挡区之间，所述源极、所述漏极分别与所述半导体有源层相接触；

其中，所述栅极金属线与所述栅极相连，所述栅极金属线埋入所述缓冲层中；

其中，数据线与所述源极或者所述漏极相连，所述数据线埋入所述蚀刻阻挡层中。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述基板上形成缓冲层的步骤包括：

在所述基板上通过化学气相沉积法沉积缓冲薄膜层；

对所述缓冲薄膜层依次实施黄光制程、干刻制程和光阻剥离制程以形成包括第一缓冲区和第二缓冲区的所述缓冲层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，形成所述缓冲层的干刻制程中的蚀刻斜角为第一锐角，以使得形成所述栅极金属层的蚀刻斜角为与所述第一锐角互补的第一钝角。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一缓冲区、所述第二缓冲区和所述栅极金属层的上表面位于同一平面。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在形成有所述半导体有源层的基板上形成蚀刻阻挡层的步骤包括：

在形成有所述半导体有源层的所述基板上通过化学气相沉积法沉积蚀刻阻挡薄膜层；

对所述蚀刻阻挡薄膜层依次实施黄光制程、干刻制程和光阻剥离制程以形成包括第一阻挡区、第二阻挡区和第三阻挡区的所述蚀刻阻挡层。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，形成所述蚀刻阻挡层的干刻制程中的蚀刻斜角为第二锐角，以使得形成所述源漏极金属层的蚀刻斜角为与所述第二锐角互补的第二钝角。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一阻挡区、第二阻挡区、第三阻挡区和所述源漏极金属层的上表面位于同一平面。

8.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括从下到上依次形成的基板、缓冲层、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层、蚀刻阻挡层和源漏极金属层；

其中，所述缓冲层包括间隔设置的第一缓冲区和第二缓冲区；

其中，所述栅极金属层包括栅极、栅极金属线，所述栅极金属层位于所述第一缓冲区和第二缓冲区之间；

其中，所述半导体有源层位于所述栅极金属层的上方；

其中，所述蚀刻阻挡层包括间隔设置的第一阻挡区、第二阻挡区和第三阻挡区，其中，所述第二阻挡区部分覆盖所述半导体有源层以使所述半导体有源层从所述第一阻挡区和所述第二阻挡区的间隙以及所述第二阻挡区和所述第三阻挡区的间隙外露；

其中，所述源漏极金属层包括源极和漏极，所述源极位于所述第一阻挡区和所述第二阻挡区之间，所述漏极位于所述第二阻挡区和所述第三阻挡区之间，所述源极、所述漏极分别与所述半导体有源层相接触；

其中，所述栅极金属线与所述栅极相连，所述栅极金属线埋入所述缓冲层中；

其中，数据线与所述源极或者所述漏极相连，所述数据线埋入所述蚀刻阻挡层中。

9.一种液晶面板，其特征在于，包括权利要求8所述的阵列基板。