[发明专利]一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板。该方法包括：在基板上依次形成缓冲层、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层、蚀刻阻挡层和源漏极金属层，其中，包括栅极和栅极金属线的栅极金属层位于缓冲层的第一缓冲区和第二缓冲区之间，包括源极和漏极的源漏极金属层位于蚀刻阻挡层中。通过上述方式，本发明将源极金属线埋入缓冲层以及将与源极或漏极连接的数据线埋入蚀刻阻挡层，能够改善阵列基板中金属线也即栅极金属线和数据线的爬坡断线、尖端放电以及金属膜氧化的问题，进而提高阵列基板以及液晶面板的生产品质。

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，特别是涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板。

背景技术

在液晶面板工业中，阵列基板的薄膜晶体管(TFT)设计往往扮演重要角色。目前的TFT设计中，金属线常被放置于非金属保护膜之上，其中，金属线包括栅极金属线和与源极或漏极连接的数据线。例如数据线设置在蚀刻阻挡层之上。

采样这种设计，容易出现金属线爬坡断线的问题。另外，由于金属线蚀刻为非等向性蚀刻，蚀刻的金属线在走线方向往往凹凸不平，而且蚀刻斜角(Taper角)通常为锐角，会增大尖端放电风险。还有，在形成金属层的过程中，金属膜例如铜膜在成膜之后，裸露的部分容易出现氧化现象，会影响到成膜的品质。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及液晶面板，能够改善阵列基板中金属线的爬坡断线、尖端放电以及金属膜氧化的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板的制作方法，该方法包括：提供一基板，在基板上形成缓冲层，其中，缓冲层包括间隔设置的第一缓冲区和第二缓冲区；在形成有缓冲层的基板上形成栅极金属层，其中，栅极金属层包括栅极、栅极金属线，栅极金属层位于第一缓冲区和第二缓冲区之间；在形成有栅极金属层的基板上形成栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖栅极金属层和缓冲层；在形成有栅极绝缘层的基板上形成半导体有源层，其中，半导体有源层位于栅极金属层的上方；在形成有半导体有源层的基板上形成蚀刻阻挡层，其中，蚀刻阻挡层包括间隔设置的第一阻挡区、第二阻挡区和第三阻挡区，其中，第二阻挡区部分覆盖半导体有源层以使半导体有源层从第一阻挡区和第二阻挡区的间隙以及第二阻挡区和第三阻挡区的间隙外露；在形成有蚀刻阻挡层的基板上形成源漏极金属层，其中，源漏极金属层包括源极和漏极，源极位于第一阻挡区和第二阻挡区之间，漏极位于第二阻挡区和第三阻挡区之间，源极、漏极分别与半导体有源层相接触。

其中，在基板上形成缓冲层的步骤包括：在基板上通过化学气相沉积法沉积缓冲薄膜层；对缓冲薄膜层依次实施黄光制程、干刻制程和光阻剥离制程以形成包括第一缓冲区和第二缓冲区的缓冲层。

其中，形成缓冲层的干刻制程中的蚀刻斜角为第一锐角，以使得形成栅极金属层的蚀刻斜角为与第一锐角互补的第一钝角。

其中，第一缓冲区、第二缓冲区和栅极金属层的上表面位于同一平面。

其中，在形成有半导体有源层的基板上形成蚀刻阻挡层的步骤包括：在形成有半导体有源层的基板上通过化学气相沉积法沉积蚀刻阻挡薄膜层；对蚀刻阻挡薄膜层依次实施黄光制程、干刻制程和光阻剥离制程以形成包括第一阻挡区、第二阻挡区和第三阻挡区的蚀刻阻挡层。

其中，形成蚀刻阻挡层的干刻制程中的蚀刻斜角为第二锐角，以使得形成源漏极金属层的蚀刻斜角为与第二锐角互补的第二钝角。

其中，第一阻挡区、第二阻挡区、第三阻挡区和源漏极金属层的上表面位于同一平面。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种阵列基板，该阵列基板包括从下到上依次形成的基板、缓冲层、栅极金属层、栅极绝缘层、半导体有源层、蚀刻阻挡层和源漏极金属层；其中，缓冲层包括间隔设置的第一缓冲区和第二缓冲区；其中，栅极金属层包括栅极、栅极金属线，栅极金属层位于第一缓冲区和第二缓冲区之间；其中，半导体有源层位于栅极金属层的上方。