[发明专利]低温多晶硅TFT基板及其制作方法

权利要求书

1.一种低温多晶硅TFT基板，其特征在于，包括基板(1)、设于所述基板(1)上的栅极(2)、设于所述基板(1)与栅极(2)上的栅极绝缘层(3)、设于所述栅极绝缘层(3)上的多晶硅层(4)、设于所述栅极绝缘层(3)与多晶硅层(4)上的源极(5)与漏极(6)、及设于所述多晶硅层(4)上且位于所述源极(5)与漏极(6)之间的金属层(7)；

所述多晶硅层(4)包括位于两侧且分别与所述源极(5)与漏极(6)相接触的源/漏极接触区(41)、位于所述金属层(7)下方的沟道区(42)、及位于所述源/漏极接触区(41)与沟道区(42)之间的轻掺杂漏区(43)；

所述金属层(7)与沟道区(42)相接触。

2.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述基板(1)为玻璃基板。

3.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述栅极绝缘层(3)的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。

4.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述栅极(2)、源极(5)、漏极(6)、及金属层(7)的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。

5.如权利要求1所述的低温多晶硅TFT基板，其特征在于，所述源/漏极接触区(41)为N型重掺杂区，所述沟道区(42)为P型重掺杂区，所述轻掺杂漏区(43)为N型轻掺杂区；或者所述源/漏极接触区(41)为P型重掺杂区，所述沟道区(42)为N型重掺杂区，所述轻掺杂漏区(43)为N型轻掺杂区。

6.一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1、提供基板(1)，在所述基板(1)上沉积第一金属层，并对所述第一金属层进行图案化处理，形成栅极(2)；

步骤2、在所述基板(1)与栅极(2)上沉积栅极绝缘层(3)；

步骤3、在所述栅极绝缘层(3)上形成多晶硅层(4)；

步骤4、对所述多晶硅层(4)的两侧区域进行离子植入，形成源/漏极接触区(41)；对所述多晶硅层(4)的中间区域进行离子植入，形成沟道区(42)；

步骤5、在所述栅极绝缘层(3)与多晶硅层(4)上沉积第二金属层，并对所述第二金属层进行图案化处理，形成源极(5)、漏极(6)、及位于所述源极(5)与漏极(6)之间的金属层(7)；

步骤6、以所述金属层(7)、及源、漏极(5、6)为光罩，对所述多晶硅层(4)进行离子植入，得到位于所述源/漏极接触区(41)与沟道区(42)之间的轻掺杂漏区(43)。

7.如权利要求6所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中的基板(1)为玻璃基板。

8.如权利要求6所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤2中的栅极绝缘层(3)的材料为氮化硅、氧化硅、或二者的组合。

9.如权利要求6所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述栅极(2)、源极(5)、漏极(6)、及金属层(7)的材料为钼、铝、铜中的一种或多种的堆栈组合。

10.如权利要求6所述的低温多晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述源/漏极接触区(41)为N型重掺杂区，所述沟道区(42)为P型重掺杂区，所述轻掺杂漏区(43)为N型轻掺杂区；或者所述源/漏极接触区(41)为P型重掺杂区，所述沟道区(42)为N型重掺杂区，所述轻掺杂漏区(43)为N型轻掺杂区。