[发明专利]低温多晶硅TFT基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。本发明的低温多晶硅TFT基板，沟道区上方设有金属层，可将所述金属层、及源极与漏极作为光罩，在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩；同时由于增加了一层与多晶硅层沟道区相连的金属层，可以有效降低沟道区的电阻，提高TFT的开态电流。本发明的低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过在形成源极与漏极的同时，在沟道区上方形成金属层，并将金属层、及源极与漏极作为光罩，在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少了形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩，从而节省了生产成本，提高了产能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法。

背景技术

液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用，如：移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。

现有市场上的液晶显示装置大部分为背光型液晶显示装置，其包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。传统的液晶面板的结构是由一彩色滤光片基板(Color Filter Substrate)、一薄膜晶体管阵列基板(Thin FilmTransistor Array Substrate，TFT Array Substrate)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。

低温多晶硅(Low Temperature Poly-silicon，LTPS)技术是新一代TFT基板的制造技术，与传统非晶硅(a-Si)技术的最大差异在于，低温多晶硅显示器反应速度较快，且有高亮度、高解析度与低耗电量等优点。低温多晶硅技术中，目前各大厂家较常用的是顶栅型的低温多晶硅TFT基板，但是顶栅型的低温多晶硅TFT基板中为了防止光照对漏电流的影响，一般都会在有效显示区域(Active Area，AA)的TFT器件底部增加遮光金属层，这样就增加了低温多晶硅TFT基板的制程成本。由此可见开发底栅型低温多晶硅TFT基板工艺对于节省成本，增加产能具有重要意义。

请参阅图1，为一种现有的底栅型低温多晶硅TFT基板的剖面结构示意图，包括基板100、设于所述基板100上的栅极200、设于所述基板100与栅极200上的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上的多晶硅层400、设于所述栅极绝缘层300与多晶硅层400上的源极500与漏极600；所述多晶硅层400包括位于两侧且分别与所述源极500与漏极600相接触的源/漏极接触区410、位于所述多晶硅层400中间的沟道区420、及位于所述源/漏极接触区410与沟道区420之间的轻掺杂漏区(LDD)430。在该低温多晶硅TFT基板的制作方法中，所述源/漏极接触区410、沟道区420、及轻掺杂漏区430这三个区域都需要单独掺杂，这样在制程中至少需要两道光罩，工艺较为繁琐，生产效率较低，生产成本较高。

因此，有必要提供一种低温多晶硅TFT基板及其制作方法，以解决上述问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种低温多晶硅TFT基板，沟道区上方设有金属层，沟道区的电阻较低，TFT的开态电流较高。

本发明的目的还在于提供一种低温多晶硅TFT基板的制作方法，通过在沟道区上方制作金属层，并将金属层、及源极与漏极作为光罩在多晶硅层上形成轻掺杂漏区，减少形成轻掺杂漏区所单独需要的光罩，节省生产成本，提高产能。

为实现上述目的，本发明提供一种低温多晶硅TFT基板，包括基板、设于所述基板上的栅极、设于所述基板与栅极上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的多晶硅层、设于所述栅极绝缘层与多晶硅层上的源极与漏极、及设于所述多晶硅层上且位于所述源极与漏极之间的金属层；