[发明专利]半导体集成电路装置以及可穿戴装置有效
申请号: | 201510940599.1 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN105719686B | 公开(公告)日: | 2021-05-11 |
发明(设计)人: | 蒲原史朗;山县保司;长谷川拓实;杉井信之 | 申请(专利权)人: | 瑞萨电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/41 | 分类号: | G11C11/41;G11C11/413 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 金春实 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 集成电路 装置 以及 穿戴 | ||
1.一种半导体集成电路装置,其特征在于,具备:
第1电路,具有P型MOS晶体管和N型MOS晶体管;
模式指定电路,指定所述第1电路的动作速度;
第2电路,具有P型SOTB晶体管和N型SOTB晶体管,与所述第1电路连接;以及
基板偏置电路,与所述模式指定电路连接,能够对所述P型SOTB晶体管供给第1基板偏置电压,对所述N型SOTB晶体管供给第2基板偏置电压,对所述P型MOS晶体管供给第3基板偏置电压,对所述N型MOS晶体管供给第4基板偏置电压,所述第1基板偏置电压和所述第3基板偏置电压不同,
在所述模式指定电路指定使所述第1电路以第1速度进行动作的第1动作模式时,所述基板偏置电路将所述第1基板偏置电压以及第2基板偏置电压供给到所述P型SOTB晶体管以及所述N型SOTB晶体管,将所述第3基板偏置电压以及第4基板偏置电压供给到所述P型MOS晶体管以及所述N型MOS晶体管,在所述模式指定电路指定以比所述第1速度更高速的第2速度使所述第1电路动作的第2动作模式时,所述基板偏置电路不向所述P型SOTB晶体管以及所述N型SOTB晶体管供给基板偏置电压。
2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
所述第2电路是具有多个存储器单元的静态型存储器,所述多个存储器单元分别具有由P型SOTB晶体管和N型SOTB晶体管构成了的一对逆变器电路,一方的逆变器电路的输入与另一方的逆变器电路的输出连接,所述另一方的逆变器电路的输入与所述一方的逆变器电路的输出连接,
在未对所述一对逆变器电路中的P型SOTB晶体管以及N型SOTB晶体管分别供给基板偏置电压时,所述一对逆变器电路中的P型SOTB晶体管的阈值电压相对于所述一对逆变器电路中的N型SOTB晶体管的阈值电压,在绝对值上更高。
3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
在所述第1动作模式中,对所述一对逆变器电路中的P型SOTB晶体管供给所述第1基板偏置电压,对所述一对逆变器电路中的N型SOTB晶体管供给所述第2基板偏置电压,从而关于所述一对逆变器电路中的P型SOTB晶体管的阈值电压和所述一对逆变器电路中的N型SOTB晶体管的阈值电压,在未供给反馈偏压时,在维持了所述一对逆变器电路中的P型SOTB晶体管的阈值电压与所述一对逆变器电路中的N型SOTB晶体管的阈值电压之间的电压差的状态下发生变化。
4.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
所述第1电路具有在未供给基板偏置电压时具有在绝对值上相互相等的阈值电压的P型MOS晶体管和N型MOS晶体管,
在所述第1动作模式中,对所述P型MOS晶体管供给所述第1基板偏置电压,对所述N型MOS晶体管供给所述第2基板偏置电压。
5.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
所述第2电路是具有多个存储器单元的静态型存储器,所述多个存储器单元分别具有由P型SOTB晶体管和N型SOTB晶体管构成了的一对逆变器电路,一方的逆变器电路的输入与另一方的逆变器电路的输出连接,所述另一方的逆变器电路的输入与所述一方的逆变器电路的输出连接,所述一对逆变器电路中的P型SOTB晶体管的阈值电压和所述一对逆变器电路中的N型SOTB晶体管的阈值电压在绝对值上相等,
所述基板偏置电路在所述第1动作模式中,供给第1基板偏置电压以及第2基板偏置电压,该第1基板偏置电压以及第2基板偏置电压是所述一对逆变器电路中的P型SOTB晶体管的阈值电压相对于所述一对逆变器电路中的N型SOTB晶体管的阈值电压在绝对值上更高那样的基板偏置电压。
6.根据权利要求5所述的半导体集成电路装置,其特征在于,
所述第4基板偏置电压与所述第2基板偏置电压相同。
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