[发明专利]一种用醋酸锌制备硫化锌光电薄膜的方法在审
申请号: | 201510943155.3 | 申请日: | 2015-12-16 |
公开(公告)号: | CN105551935A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 李静;刘科高;许超;徐勇;石磊 | 申请(专利权)人: | 山东建筑大学 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L31/18;C25D9/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 250101 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 醋酸 制备 硫化锌 光电 薄膜 方法 | ||
技术领域
本发明属于太阳能电池用薄膜制备技术领域,尤其涉及一种用醋酸锌制备硫化锌 光电薄膜的方法。
背景技术
随着社会和经济的发展,我国能源消费总量剧增,能源危机及传统能源对环境造 成的污日趋严重,因此开发利用清洁环保能源成为人类面临的重大课题。为了更充分地利 用太阳能这种清洁、安全和环保的可再生资源,近年来太阳能电池材料的研究和发展日益 受到重视。
在薄膜光伏材料中,ZnS是II-VI族化合物半导体,具有闪锌矿晶体结构,直接跃迁 型能带结构,ZnS具有禁带宽(3.5~3.7eV)的优点,其对太阳光基本不吸收,这样可以使更多 的高能量光子被传送到电极上,提高电池光电转换效率。此外,ZnS不仅对人体无毒无害,而 且ZnS薄膜在窗口层和吸收层之间起结构缓冲、减小晶格适配度的作用,还能与吸收层结合 好,电池转换效率高,在所有太能电池缓冲层材料中,无毒无害ZnS是有毒的CdS的理想替代 者。因此,ZnS薄膜的制备和特性研究必将对太阳能电器件的发展应用起到积极的推动作 用。
目前,硫化锌多晶制备技术很多,从合成反应类型上可分为湿法和干法;从合成的 技术特点上可分为化学气相沉积法、气相反应法、液相合成法、元素直接反应法、化学浴沉 积法、电化学沉积法、分子束外延法和光化学沉积法等。
如前面所述方法一样,其它方法也有不同的缺陷。与本发明相关的还有如下文献 :
[1]QiL,MaoG,AoJ,Chemicalbath-depositedZnSthinfilms:preparation andcharacterization,AppliedSurfaceScience254(2008)5711-5714.
主要描述了利用化学水浴沉积的方法制备ZnS薄膜,研究了薄膜厚度和退火温度对其 光学性能、晶体的带隙能量和晶粒大小的影响。
[2]BahloulA,NessarkB,ChelaliNE,GroultH,MaugerA,JulienCM,New compositecathodematerialforZn/MnO2cellsobtainedbyelectro-deposition ofpolybithiopheneonmanganesedioxideparticles.SolidStateIonics204-205 (2011)53-60.
主要描述了用磁控溅射的方法制备ZnS薄膜,并对其形貌组织进行了表征。
[3]CuiJ,ZengX,ZhouM,HuC,ZhangW,LuJ,Tunableblueand orangeemissionsofZnS:MnthinfilmsdepositedonGaNsubstratesbypulsed laserdeposition,JournalofLuminescence147(2014)310-5.
主要描述了用喷雾热解法制备ZnS薄膜,该薄膜为多晶的、有方向性的和高光传输 性,并研究了其发光性和电致发光性。
[4]LimeiZhou,NanTang,SumeiWu,Influenceofdeposition temperatureonZnSthinfilmperformancewithchemicalbathdeposition, Surface&CoatingsTechnology228(2013)S146-S149.主要描述了通过化学浴沉积 的方法制备ZnS薄膜,主要研究的是在不同的温度(75℃、80℃、85℃、90℃、95℃)对薄膜 的厚度,微观表面形貌,结构和透射率的影响。
[5]ZhaoYangZhong,EouSikCho,SangJikKwon,Characterizationof theZnSthinfilmbufferlayerforCu(In,Ga)Se2solarcellsdepositedby chemicalbathdepositionprocesswithdifferentsolutionconcentrations, MaterialsChemistryandPhysics135(2012)287-292.
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造