[发明专利]一种晶圆级TSV封装结构及封装工艺

权利要求书

1.一种晶圆级TSV封装结构，包括器件晶圆，所述器件晶圆包括衬底、设置在衬底上的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层上的若干焊盘，其特征在于：所述器件晶圆包括贯穿所述焊盘及所述第一绝缘层的凹槽，所述凹槽设置在焊盘的中部，所述凹槽中设有有金属材料，所述金属材料与焊盘电连接，所述衬底设有贯穿的TSV孔，所述TSV孔与焊盘对应设置，所述TSV孔的直径大于所述凹槽的宽度，所述TSV孔的侧壁及衬底的表面设有第二绝缘层，所述TSV孔的底部及第二绝缘层上设有至少一层再布线层，所述再布线层与金属材料电连接，所述再布线层上设有凸点，所述凸点与再布线层电连接。

2.一种晶圆级TSV封装工艺，其特征在于：包括下述步骤，

步骤一、提供一器件晶圆，所述器件晶圆包括衬底、设置在衬底上的第一绝缘层以及设置在第一绝缘层上的若干焊盘；将所述第一绝缘层所在的面设为衬底的正面，与正面相对应的衬底的另一面设为背面；所述器件晶圆包括正面和背面，所述器件晶圆的正面与衬底的正面同向；

步骤二、对焊盘及焊盘下方对应的第一绝缘层进行刻蚀，所述刻蚀区域形成凹槽，所述凹槽贯穿所述焊盘及第一绝缘层且位于焊盘的中部；

步骤三、在凹槽中设置金属材料，使金属材料与焊盘电连接；

步骤四、对衬底背面进行减薄；

步骤五、在减薄后的衬底背面对应焊盘的位置制作TSV孔直至裸露出金属材料，所述TSV孔的孔径大于凹槽的宽度；

步骤六、在TSV孔的孔内及衬底的背面制作第二绝缘层；

步骤七、去除TSV孔的底部的第二绝缘层，使TSV孔的底部的金属材料裸露出来；

步骤八、在TSV孔的底部及第二绝缘层上制作至少一层再布线层，使再布线层与金属材料电连接；

步骤九、在再布线层上利用凸点工艺制作凸点，所述凸点与再布线层电连接。

3.根据权利要求2所述的一种晶圆级TSV封装工艺，其特征在于：所述步骤四包括如下步骤：

A、对器件晶圆的正面键合一载片晶圆，所述键合为临时键合或永久键合；

B、利用晶圆减薄机对衬底背面进行减薄，使衬底减薄到20~200微米。