[发明专利]平面肖特基势垒二极管

权利要求书

1.一种平面肖特基势垒二极管，其包括N型重掺杂硅衬底、在所述N型重掺杂硅衬底上生长的N型轻掺杂外延层、在所述N型轻掺杂外延层中设置有P型重掺杂环区、位于所述P型重掺杂环区上面的薄氧化层、位于所述薄氧化层外侧的场氧化层、位于薄氧化层内侧的肖特基势垒层，位于所述场氧化层、薄氧化层、肖特基势垒层上面的多层金属层，及位于所述N型重掺杂硅衬底下面的多层金属层，其特征在于在在所述P型重掺杂环区外侧的所述N型轻掺杂外延层中设置有P型轻掺杂环区，所述薄氧化层位于所述P型重掺杂环区和所述P型轻掺杂环区上面，所述场氧化层位于部分所述P型轻掺杂环区上方及所述P型轻掺杂环区外侧的N型轻掺杂外延层上方，所述肖特基势垒层形成于部分所述P型重掺杂环区上面及所述N型轻掺杂外延层上面。

2.根据权利要求1所述的平面肖特基势垒二极管，其特征在于所述P型轻掺杂环区的注入剂量为5e11~1e13cm^-2，结深为0.5~5微米，长度为2~100微米。

3.根据权利要求1所述的平面肖特基势垒二极管，其特征在于所述P型重掺杂环区的注入剂量为1e15~1e16cm^-2，结深为0.5~10cm^-2，长度为2~100微米。