[发明专利]一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构在审
| 申请号： | 201510947270.8 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105449017A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 马英杰;张永刚;顾溢;陈星佑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L31/0248 | 分类号： | H01L31/0248;H01L31/0304;H01L31/0352 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 黄志达 |
| 地址： | 200050 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 实现 ingaas 光吸收 波长 扩展 材料 结构 | ||
1.一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，其特征在于：在InP衬底上采用周期性InxGa1-xAs多量子阱耦合超晶格结构，每个超晶格周期包含有一个量子阱层和一个势垒层，采用厚度为a的InxGa1-xAs、0.53<x≤1作为量子阱层，厚度为b的InyGa1-yAs、0≤y<0.53作为势垒层。
2.根据权利要求1所述的一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，其特征在于：所述量子阱层的厚度a为1-10nm。
3.根据权利要求1所述的一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，其特征在于：所述势垒层的厚度b为1-10nm。
4.根据权利要求1所述的一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，其特征在于：所述材料在室温下的光吸收长波截止波长可调范围为1.7-3μm。
5.根据权利要求1所述的一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，其特征在于：在所述材料的量子阱层和势垒层之间采用应变补偿生长机制：量子阱层为面内压应变，势垒层为面内张应变，量子阱层和势垒层之间的应变相互补偿；量子阱层的厚度a、组分x和势垒层的厚度b、组分y的关系近似满足
6.根据权利要求1所述的一种用于实现InGaAs光吸收波长扩展的材料结构，其特征在于：量子阱层由一层固定In组分的InxGa1-xAs材料组成或由多个不同In组分InxGa1-xAs的势阱亚层组合而成；势垒层由一层固定In组分的InyGa1-yAs材料组成或由多个不同In组分InxGa1-xAs的势垒亚层组合而成；其中，量子阱层、势垒层包含亚层时，平均组分与亚层总厚度的关系近似满足
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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