[发明专利]一种NandFlash的擦除方法在审
| 申请号： | 201510952162.X | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106898380A | 公开（公告）日： | 2017-06-27 |
| 发明（设计）人： | 刘会娟 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/16 | 分类号： | G11C16/16 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 胡彬,邓猛烈 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 nandflash 擦除 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种Nand Flash的擦除方法，其特征在于，包括：
对待擦除块进行擦除验证；
如果所述待擦除块通过擦除验证，则直接结束对待擦除块的操作；否则对待擦除块进行擦除操作。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述对待擦除块进行擦除验证之前，还包括：
基于Nand Flash中的控制单元通过字线选择和位线选择选取要擦除的存储块，记为待擦除块。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述对待擦除块进行擦除验证包括：
对所述待擦除块的存储单元进行校验，判断所述待擦除块中存储单元是否满足擦除条件。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述擦除条件指没有达到擦除状态的存储单元个数小于错误检查和纠正算法能够纠正的个数；其中，所述存储单元的擦除状态指存储单元中的比特位状态均为1。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对待擦除块进行擦除操作，包括：
a、对待擦除块进行预编程；
b、对所述待擦除块施加擦除电压并持续设定时间；
c、验证所述待擦除块是否满足擦除条件，若否，则执行步骤d；若是，则执行步骤e；
d、以设定步进值抬升当前擦除电压，之后返回步骤c；
e、结束擦除操作。
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