[发明专利]一种NandFlash的擦除方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储设备硬件技术领域，尤其涉及一种Nand Flash的擦除方法。

背景技术

Nand Flash是Flash内存的一种，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)，其内部采用非线性宏单元模式，具有容量大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储。广泛应用于嵌入式产品中，如数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。在Nand Flash的发展中，早期Nand Flash颗粒的存储单元多为单层单元(Single Level Cell，SLC),即一个存储单元为1bit位，此时每个存储单元存在两种状态为0和1，随着Nand Flash的发展，Nand Flash颗粒的存储单元逐渐演变为多层单元(Multi-Level Cell，MLC)，即一个存储单元有2bit位，接着推出了三层单元(Triple-Level Cell，TLC)，即一个存储单元有3bit位，甚至四层单元(Quad-Level Cell，QLC)，即一个存储单元有4bit位。

存储单元比特位增大后的多层存储单元Nand Flash颗粒，其擦写寿命明显减小，一般来说其擦写寿命仅有几百次到几千次。图1为Nand Flash的传统擦除方法流程示意图，在对具有多比特位存储单元的Nand Flash颗粒进行擦除操作时，如果仍采用如图1所示的传统擦除方法，对没有进行编程操作的存储单元也进行擦除操作，就相当于进行了无效擦除，进而缩短Nand Flash颗粒的擦写寿命，加快Nand Flash的擦除损耗。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种Nand Flash的擦除方法，以降低Nand Flash内存的无效擦除损耗。

本发明实施例提供了一种Nand Flash的擦除方法，包括：

对待擦除块进行擦除验证；

如果所述待擦除块通过擦除验证，则直接结束对待擦除块的操作；否则对待擦除块进行擦除操作。

进一步的，在所述对待擦除块进行擦除验证之前，还包括：

基于Nand Flash中的控制单元通过字线选择和位线选择选取要擦除的存储块，记为待擦除块。

进一步的，所述对待擦除块进行擦除验证包括：

对所述待擦除块的存储单元进行校验，判断所述待擦除块中存储单元是否满足擦除条件。

进一步的，所述擦除条件指没有达到擦除状态的存储单元个数小于错误检查和纠正算法能够纠正的个数；其中，所述存储单元的擦除状态指存储单元中的比特位状态均为1。

进一步的，所述对待擦除块进行擦除操作，包括：

a、对待擦除块进行预编程；

b、对所述待擦除块施加擦除电压并持续设定时间；

c、验证所述待擦除块是否满足擦除条件，若否，则执行步骤d；若是，则执行步骤e；

d、以设定步进值抬升当前擦除电压，之后返回步骤c；

e、结束擦除操作。

本发明实施例提供的一种Nand Flash的擦除方法，与现有擦除方法相比，在进行擦除操作前增加了对待擦除块进行擦除验证的步骤，如果待擦除块满足擦除条件，则无需进一步擦除操作。该擦除方法能够避免待擦除块的无效擦除， 进而增加Nand Flash的有效擦除次数，降低无效擦除损耗，延长Nand Flash的使用寿命。

附图说明

图1是Nand Flash的传统擦除方法的流程图；

图2是本发明实施例一提供的一种Nand Flash的擦除方法的流程图；

图3是本发明实施例一提供的一种Nand Flash的擦除方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。

实施例一

图2为本发明实施例一提供的一种Nand Flash的擦除方法的流程图，该方法由Nand Flash执行，是对现有擦除方法的一种改进，如图2所示，该方法包括：

101、对待擦除块进行擦除验证。

在本实施例中，所述待擦除块具体可为Nand Flash的存储单元阵列中用于待进行擦除操作的一个存储单元块。所述擦除操作以存储单元块为单位进行。