[发明专利]一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液

说明书

技术领域

本发明涉及一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液。

背景技术

目前在制作电路板的过程中，电路板品质的好坏，品质问题的发现及解决，制程改进的评估都需要通过金相切片来对其客观检查和判断。金相切片制作的好坏直接影响到电路板的质量评估。传统的金相切片过程包括，用铣的方式进行取样；采用树脂镶嵌法对样品进行封胶；对样品进行研磨；对样品进行抛光；对样品进行微蚀刻。其中，微蚀刻液的配方为质量百分比为50％的双氧水2～3滴、25％～28％的氨水8ml，去离子水(Deionizedwater，简称DI水)8ml。其缺点在于，该微蚀刻液中的氨水易挥发且有刺激性气味，因此不利于操作，配置后使用的时间短，只能维持0.5小时左右，从而给金相切片的工艺带来了不便。

发明内容

本发明目的是针对现有技术存在的缺陷提供一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液。

本发明为实现上述目的，采用如下技术方案：一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，其特征在于，包括以下重量百分比的组合物：

纳米二氧化钛2.5％～4.5％；

三氯化铁0.5％～1.2％；

硝酸0.5％～1.6％；

有机盐酸2.5％～3.3％；

非离子表面活性剂1.5％～2.3％；

稳定剂0.5％～1.5％；

消泡剂3.5％～5.6％；

其余为蒸馏水。

进一步的，包括以下重量百分比的组合物：

纳米二氧化钛2.5％；

三氯化铁0.5％；

硝酸0.5％；

有机盐酸2.5％；

非离子表面活性剂1.5％；

稳定剂0.5％；

消泡剂3.5％；

其余为蒸馏水。

进一步的，包括以下重量百分比的组合物：

纳米二氧化钛3.5％；

三氯化铁0.8％；

硝酸1.0％；

有机盐酸2.8％；

非离子表面活性剂1.9％；

稳定剂0.9％；

消泡剂4.6％；

其余为蒸馏水。

进一步的，包括以下重量百分比的组合物：

纳米二氧化钛4.5％；

三氯化铁1.2％；

硝酸1.6％；

有机盐酸3.3％；

非离子表面活性剂2.3％；

稳定剂1.5％；

消泡剂5.6％；

其余为蒸馏水。

进一步的，所述硝酸的浓度大于97.5％(重量百分比)，所述有机盐酸的浓度大于89％(重量百分比)。

进一步的，所述非离子表面活性剂为司盘类非离子表面活性剂。

本发明的有益效果：本发明通过在原有工艺的基础上新加入了纳米二氧化钛，不仅能够在不发生抗蚀涂层渗透的情况下进行蚀刻，显著提高铬金属膜的蚀刻速度，具有蚀刻速度可控性，有效抑制抗蚀保护层的劣化，得到表面平坦光滑的铬金属膜配线，具有重要的应用价值；而且能有效降低蚀刻液的表面张力，不仅能够产生渗透，浸润的作用，而且能够蚀刻铟锡氧化物半导体透明导电膜速率适中，反应稳定，使其在不影响产品质量的前提下提高产品的蚀刻效果，并使产品能在较低的环境温度下保存，避免了原有技术造成的蚀刻不干净，不能在低温下储存的缺点，本方法能适用于大规模生产。

具体实施方式

本发明涉及一种基于纳米二氧化钛的电路板用蚀刻液，包括以下重量百分比的组合物：纳米二氧化钛2.5％～4.5％；三氯化铁0.5％～1.2％；硝酸0.5％～1.6％；有机盐酸2.5％～3.3％；非离子表面活性剂1.5％～2.3％；稳定剂0.5％～1.5％；消泡剂3.5％～5.6％；其余为蒸馏水。

实施例1

上述电路板用蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：

第一步：将弱酸性阳离子交换树脂加入到重量百分比为2.5％有机盐酸中，搅拌混合，搅拌的速度为50转/分钟，搅拌时间为5分钟，搅拌温度为10℃，然后滤出弱酸性阳离子交换树脂，控制或去除有机盐酸中的杂质离子；

第二步：将重量百分比为2.5％的纳米二氧化钛和三分之一的蒸馏水到入反应釜中，在常温、常压下充分搅拌，搅拌时间为10分钟，搅拌速度为60转/分钟，搅拌温度为12℃；