[发明专利]一种多孔单质硅的制备方法在审
| 申请号： | 201510953072.2 | 申请日： | 2016-03-07 |
| 公开（公告）号： | CN105529451A | 公开（公告）日： | 2016-04-27 |
| 发明（设计）人： | 蒋学鑫;王亚娟;李望;郭敬新 | 申请（专利权）人： | 安徽壹石通材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/1395;C01B33/023 |
| 代理公司： | 安徽信拓律师事务所 34117 | 代理人： | 吴奇 |
| 地址： | 233400 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 单质 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多孔单质硅的制备方法，其特征在于：以软硅为原料，镁粉为还 原剂，在惰性环境中还原得到多孔单质硅；
所述软硅粒径为1-10um，比表面积为180-230m2/g且具有多孔中空结构。
2.一种多孔单质硅的制备方法，其特征在于，具体步骤为：先将软硅和 镁粉混合均匀，再将混合物加入带盖铁坩埚内，然后将坩埚置于氩气保护的 气氛炉中，于600-700℃、分阶段保温2-7h，最后经盐酸侵蚀即得多孔单质硅；
所述软硅粒径为1-10um，比表面积为180-230m2/g且具有多孔中空结构。
3.根据权利要求1或2所述的多孔单质硅的制备方法，其特征在于：所述 多孔单质硅粒径为1-10um，壁厚为50-150nm。
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