[发明专利]光学防伪元件及其制备方法

权利要求书

1.一种光学防伪元件的制备方法，该方法包括：

在基材的同一表面上形成具有第一区域和第二区域的起伏结构层，其中所述第一区域中的起伏结构表面的比体积小于所述第二区域中的起伏结构表面的比体积；

在所述起伏结构层上形成镀层；

在所述镀层上形成保护层，且所述保护层在所述第一区域中的最小厚度大于所述保护层在所述第二区域中的最小厚度；以及

将所述光学防伪元件置于能与所述镀层反应的氛围中，直到所述第二区域中的镀层被完全或者部分腐蚀但所述第一区域中的镀层得以保留为止，

其中，所述第一区域中同时含有深宽比大于0.3和小于0.3的起伏结构。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区域中的起伏结构表面的比体积小于0.2μm³/μm²。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一区域中的起伏结构表面的比体积小于0.1μm³/μm²。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二区域中的起伏结构表面的比体积大于0.2μm³/μm²。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第二区域中的起伏结构表面的比体积大于0.5μm³/μm²。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二区域中的起伏结构的周期大于1μm、小于20μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二区域中的起伏结构的深度大于0.3μm、小于10μm。

8.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的方法，其中，所述第一区域中的起伏结构和所述第二区域中的起伏结构的截面为余弦结构、锯齿形结构、柱面结构、球面结构、棱锥结构、方波型结构或它们的组合。

9.根据权利要求1至7中任一权利要求所述的方法，其中，所述保护层的比体积大于所述第一区域中的起伏结构表面的比体积而小于所述第二区域中的起伏结构表面的比体积。

10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述保护层的比体积大于0.1μm³/μm²、小于1μm³/μm²。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述保护层的比体积大于0.2μm³/μm²、小于0.5μm³/μm²。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，通过在所述镀层上涂布保护胶来形成保护层，所述保护胶的粘度小于100cP。

13.一种光学防伪元件，该光学防伪元件至少包括：

基材；

位于所述基材的同一表面上的具有第一区域和第二区域的起伏结构层，其中所述第一区域中的起伏结构表面的比体积小于所述第二区域中的起伏结构表面的比体积；

仅位于所述第一区域中的起伏结构层上的镀层；以及

位于所述镀层上的保护层，

其中，所述第一区域中同时含有深宽比大于0.3和小于0.3的起伏结构。

14.根据权利要求13所述的光学防伪元件，其中，所述第一区域中的起伏结构表面的比体积小于0.2μm³/μm²。