[发明专利]等离子体蚀刻方法

权利要求书

1.一种等离子体蚀刻方法，其特征在于：

将含有氟碳化合物的处理气体导入配置有被处理体的处理容器内，对所述处理容器内的电极间施加使所述处理气体等离子体化的第一高频电力和用于将离子引入到所述被处理体的第二高频电力，该第二高频电力的频率比第一高频电力低，利用所生成的等离子体对所述被处理体进行蚀刻，

所述被处理体包括：多层膜，其包含具有彼此不同的介电常数且交替层叠的第一膜和第二膜；和设置于所述多层膜上的掩模，

所述等离子体蚀刻方法包括：

第一步骤，对所述电极施加所述第一高频电力，并且以周期性地切换所述第二高频电力的接通和断开的方式对所述电极施加所述第二高频电力；和

第二步骤，对所述电极施加所述第一高频电力，并且以使所述第二高频电力连续接通的方式对所述电极施加所述第二高频电力，

交替实施所述第一步骤和所述第二步骤，以使得在因蚀刻而形成的孔或者槽的内壁附着的由所述处理气体产生的附着物从孔或者槽的开口入口附近扩展至深部，

实施所述第一步骤的第一期间T1和实施所述第二步骤的第二期间T2分别设定为第一期间T1＝10秒～60秒、第二期间T2＝10秒～60秒。

2.如权利要求1的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述含有氟碳化合物的处理气体含有C₄F₆气体、CH₂F₂气体和O₂气体。

3.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

在所述第一步骤和所述第二步骤中，所述第一高频电力的接通和断开与所述第二高频电力的接通和断开同步。

4.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述第一膜为氧化硅膜，所述第二膜为氮化硅膜。

5.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述第一膜为氧化硅膜，所述第二膜为多晶硅膜。

6.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述第一膜和所述第二膜层叠合计24层以上。

7.如权利要求1或2所述的等离子体蚀刻方法，其特征在于：

所述掩模为无定形碳制。