[发明专利]等离子体蚀刻方法

说明书

技术领域

本发明涉及等离子体蚀刻方法。

背景技术

目前，已知等离子体蚀刻方法(例如，专利文献1)。在这样的等离子体蚀刻方法中，向配置有被处理体的处理容器内导入包含氟碳化合物的处理气体，对处理容器内的电极间施加使处理气体等离子体化的第一高频电力和用于将离子引入被处理体的第二高频电力且频率比第一高频电力低的该第二高频电力，利用所生成的等离子体，对被处理体进行蚀刻。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许3681533号

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，在利用等离子体蚀刻形成深的孔或者槽的情况下(比较例：图6的(A))，观察到孔H扭曲的现象。在比较例中，实施两步骤蚀刻。即，在比较例中，作为处理气体使用六氟-1,3-丁二烯(C₄F₆)、二氟甲烷(CH₂F₂)、氧气(O₂)、一氧化碳(CO)，在第一步骤中，对电极施加第一高频电力，并且以周期性地切换第二高频电力的接通和断开的方式对电极施加第二高频电力，在第二步骤中，对电极施加第一高频电力，并且以使所述第二高频电力连续接通的方式对所述电极施加所述第二高频电力，在各个步骤中，第一高频电力的接通和断开与第二高频电力的接通和断开同步。

本发明是鉴于这样的课题而完成的，目的是提供能够抑制因蚀刻而形成的孔或者槽扭曲的等离子体蚀刻方法。

用于解决技术课题的技术方案

为了解决上述的课题，一个方面是一种蚀刻方法，将含有氟碳化合物的处理气体导入被处理体所配置的处理容器内，在上述处理容器内的电极间施加使处理气体等离子体化的第一高频电力(适合从27MHz～100MHz选择的频率)和用于将离子引入上述被处理体的第二高频电力，该第二高频电力的频率比第一高频电力低(适合从400kHz～13.56MHz选择的频率)，利用生成的等离子体对上述被处理体进行蚀刻，上述被处理体包括：多层膜，其包括具有彼此不同的介电常数且交替地层叠的第一膜和第二膜；和设置在上述多层膜上的掩模，上述蚀刻方法包括：第一步骤，对上述电极施加所述第一高频电力，并且以周期地切换上述第二高频电力的接通和断开的方式对上述电极施加上述第二高频电力；和第二步骤，对上述电极施加上述第一高频电力，并且以使上述第二高频电力连续接通的方式对上述电极施加上述第二高频电力，交替实施上述第一步骤和上述第二步骤，以使得由上述处理气体产生的附着在因蚀刻而形成的孔或者槽的内壁上的附着物从上述孔或者槽的开口入口附近扩展至深部。

该情况下，当附着物覆盖因蚀刻而形成的孔或者槽的内表面时，利用附着物保护内表面不受进入孔内的离子影响，抑制内表面(侧面)的蚀刻，抑制孔、槽扭曲。

一个实施方式，其特征在于，实施上述第一步骤的第一期间T1和实施上述第二步骤的第二期间T2各自设定为第一期间T1＝10秒～60秒、第二期间T2＝10秒～60秒。根据本实施方式，能够保护内表面不受进入孔内的离子影响，抑制内表面(侧面)的蚀刻，并且抑制孔、槽扭曲。

另一个实施方式，其特征在于，上述含有氟碳化合物的处理气体含有C₄F₆气体、CH₂F₂气体和O₂气体。

另一实施方式，其特征在于，在上述第一步骤和上述第二步骤中，上述第一高频电力的接通和断开与上述第二高频电力的接通和断开同步。该情况下，与不同步的情况比较，能够使等离子体稳定。

另一个实施方式中，可以第一膜是氧化硅膜，第二膜是氮化硅膜，也可以第一膜是氧化硅膜，第二膜是多晶硅膜。另一实施方式中，也可以第一膜和第二膜层叠合计24层以上。另一实施方式中，也可以掩模由无定形碳制。

发明效果

根据本发明，能够抑制因蚀刻形成的孔或者槽产生扭曲。

附图说明

图1是表示等离子体处理装置(等离子体蚀刻装置)的概要的图。

图2是比较例的等离子体蚀刻方法中的高频电力(合成波形的包络线)的时序图(A)、开关脉冲(A1)、在进行开关时施加的高频脉冲(A2)、开关脉冲与高频脉冲的合成波形(A3)的时序图

图3是表示比较例的氟碳化合物的状态(A)和附着物的附着方式(B)的图。