[发明专利]一种化学沉镍金工艺在审
申请号: | 201510959090.1 | 申请日: | 2015-12-18 |
公开(公告)号: | CN105543811A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 李照飞;车世民 | 申请(专利权)人: | 北大方正集团有限公司;珠海方正科技高密电子有限公司 |
主分类号: | C23C18/16 | 分类号: | C23C18/16;C23C18/18 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 周美华 |
地址: | 100871 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 化学 金工 | ||
1.一种化学沉镍金工艺,包括如下步骤:
采用第一水洗液槽中的水洗液对电路板进行水洗;
在水洗后对电路板进行化学沉镍;
采用第二水洗液槽中的水洗液对化学沉镍后的电路板进行再次水洗;
在再次水洗后对电路板进行化学沉金;
其特征在于,在采用第二水洗液槽中的水洗液对化学沉镍后的电路板进行再 次水洗的步骤之前,先对第二水洗液槽中的水洗液进行除菌处理;或者,在采用 第二水洗液槽中的水洗液对化学沉镍后的电路板进行再次水洗的步骤之后,对再 次水洗之后的电路板进行除菌处理。
2.根据权利要求1所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:在采用第一水洗液 槽中的水洗液对电路板进行水洗的步骤之前,对第一水洗液槽中的水洗液进行除 菌处理。
3.根据权利要求1所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:在采用第一水洗液 槽中的水洗液对电路板进行水洗的步骤之后,对水洗后的电路板进行除菌处理。
4.根据权利要求1-3中任一项所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:采用紫 外线对第二水洗液槽中的水洗液进行除菌处理;或采用紫外线对再次水洗之后的 电路板进行除菌处理。
5.根据权利要求2或3所述的所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:采用紫 外线对第一水洗液槽中的水洗液进行除菌处理;或采用紫外线对水洗后的电路板 进行除菌处理。
6.根据权利要求4或5所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:所述紫外线来 自于安装在第一水洗槽和第二水洗液槽中的UV灯。
7.根据权利要求6所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:所述UV灯安装在 所述第一水洗液槽和第二水洗液槽的槽底。
8.根据权利要求4或5所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:所述紫外线的 波长为200-280nm,所述紫外线的除菌处理时间为1-10min。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:第二 水洗液槽中的水洗液为弱酸性水洗液。
10.根据权利要求9所述的化学沉镍金工艺,其特征在于:第二水洗液槽中 的水洗液为柠檬酸溶液。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法,例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法,例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀,即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理