[发明专利]一种CuWO4/WO3异质结构纳米片阵列薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201510959603.9 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105568314A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 徐芳;梅晶晶;陈会敏;白丹丹;蒋凯;武大鹏;高志勇 | 申请（专利权）人： | 河南师范大学 |
| 主分类号： | C25B11/02 | 分类号： | C25B11/02;C25B11/04;C25B1/04;C25B9/04 |
| 代理公司： | 新乡市平原专利有限责任公司 41107 | 代理人： | 路宽 |
| 地址： | 453007 河*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cuwo sub wo 结构 纳米 阵列 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种CuWO4/WO3异质结构纳米片阵列薄膜的制备方法，其特征在于具体步骤为：
（1）将0.2-0.4g仲钨酸铵水合物分散到水和乙醇的混合溶剂中，再加入1-2mL质量浓度为37%的浓盐酸和1-2mL质量浓度为35%的双氧水，搅拌混合均匀后制得WO3前驱物溶液；
（2）将步骤（1）所得的WO3前驱物溶液转移至水热反应釜中，并将FTO导电面朝下放入水热反应釜中，将FTO导电面朝下于140-180℃水热反应2-6h，反应结束后随炉冷却至室温，取出FTO冲洗后室温干燥，然后置于马弗炉中于500℃退火2h制得WO3纳米片阵列；
（3）将步骤（2）所得的WO3纳米片阵列垂直浸入二价铜盐的乙醇溶液中反应0.5-2h后取出，其中二价铜盐的乙醇溶液中Cu2+的摩尔浓度为30-70mmol/L，室温干燥后置于马弗炉中于500℃退火2h制得CuWO4/WO3异质结构纳米片阵列薄膜。
2.根据权利要求1所述的CuWO4/WO3异质结构纳米片阵列薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（1）所述的水和乙醇的混合溶剂中水与乙醇的体积比为1:4~4:1。
3.根据权利要求1所述的CuWO4/WO3异质结构纳米片阵列薄膜的制备方法，其特征在于：步骤（3）所述的二价铜盐为CuSO4、Cu(NO3)2或Cu(CH3COO)2。
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