[发明专利]一种提高DC/DC升压变换器转换效率的方法在审
| 申请号： | 201510961076.5 | 申请日： | 2015-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN105553262A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 黄胜明;黄鑫;冯多力 | 申请（专利权）人： | 苏州瑞铬优电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/158 | 分类号： | H02M3/158 |
| 代理公司： | 无锡中瑞知识产权代理有限公司 32259 | 代理人： | 张玉平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张家港市凤凰*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 dc 升压 变换器 转换 效率 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高DC/DC升压变换器转换效率的方法，其步骤为：在DC/DC变 换升压拓扑结构中的上端MOS器件采用N型的MOS或LDMOS器件，并将该 N型的MOS或LDMOS器件动态隔离。
2.根据权利要求1所述的提高DC/DC升压变换器转换效率的方法，其特 征在于：在DC/DC变换升压拓扑结构中的上端MOS器件采用N型LDMOS器 件。
3.根据权利要求2所述的提高DC/DC升压变换器转换效率的方法，其特 征在于：所述的上端MOS器件动态隔离的具体方法为：在上端MOS器件的体 区到左侧的深阱欧姆连接区N+之间增加一个N型LDMOS器件、作为上端辅助 MOS器件，上端辅助MOS器件的源极与上端MOS的源极相连，上端辅助MOS 器件的栅极与上端MOS的栅极相连；上端辅助MOS器件的漏极与左侧的N型 深阱的欧姆连接区N+相连接，从而在该上端MOS器件的体区与上端辅助MOS 器件的漏极之间形成寄生二极管，在上端辅助MOS器件的漏极的右侧N型外延 层里紧靠N型深阱N+连接区处设置一个P+区，使该P+区和右侧的深阱区的 N+接触区组成一个高压二极管，所述上端MOS器件的体区与漏极之间形成一 个体区二极管。
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