[发明专利]一种极紫外光学基底的清洁处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及光学基底的清洁处理领域，具体涉及一种极紫外光学基底的清 洁处理方法。

背景技术

极紫外光刻(ExtremeUltravioletLithography，EUV)技术是使用EUV波 段，主要是13.5nm波段，进行光刻的微纳加工技术。目前，EUVL技术已经能 够实现7nm线宽的刻蚀工艺，并具备进一步缩小刻蚀线宽的可能性。这在大规 模集成电路制造领域具有重要意义，能够实现更大密度的元件集成，以及更低 的能耗。

由于物质对EUV的吸收，EUVL系统使用了全部反射式的设计结构。所用 反射镜一般由光学基底和EUV高反膜构成。由于EUV极短的波长，其对反射 镜的要求也极其苛刻。EUV光学基底一般采用超低热膨胀系数材料，如ULE等。 这种材料在温度变化下，体积变化极小，保证了反射镜的面形基本不变。此外， EUV光学基底还需进行超光滑抛光，使表面高频粗糙度在0.2nm以下，才能保 证EUV高反膜的反射率在65％以上。以上各种因素使得在对极紫外光学基底进 行清洁处理时，需要严格控制基底面形及高频粗糙度的变化。

目前，关于光学基底的清洗技术主要包括，人工擦拭、超声波清洗，紫外 辐照清洗、等离子体清洗、和CO₂雪清洗等。其中人工擦拭使用蘸有有机溶剂 的擦镜布进行有针对性的去污处理，能够有效的去除基底表面肉眼可见的污染 物，但造成的有机溶剂残留是不容忽视的。超声波清洗是利用超声波在液体中 传播时产生的空化作用，传递的能量，以及搅拌作用实现对样品的清洗。其中 空化作用是指超声波作为压力波在液体中传播时，由于负压作用产生空穴，在 正压时，空穴又被压碎产生强大的冲击力，由此使样品表面污染物剥离脱落的 现象。传递的能量是超声波本身在液体中传播时，所携带的能量使样品表面污 染物震荡剥离的现象。搅拌作用是指，超声波在液体中传播引起的水流变化， 将样品表面污染物带离的作用。在恰当的液体温度、超声波频率、功率以及清 洗溶剂的选择下，超声波可以实现较为理想的光学基底的清洗。但是超声波清 洗过程中，十分容易破坏基底表面，尤其在EUV基底的清洁处理中，超声波清 洗会造成一定的面形变化，甚至引起高频粗糙度的变化，这对EUVL技术是致 命的。其他几种清洗技术，主要是对已经清洁的光学基底进行进一步处理所使 用的，如紫外辐照清洗，是利用紫外灯辐射的183.9nm和253.7nm波段紫外光 激发空气中的臭氧，进而使基底表面有机物被氧化成CO₂和H₂O的一种清洗方 法。

综上所述，现有清洗光学基底的方法均会对其面形造成一定的影响。因此 开发一种能够有效并极大降低清洗过程对光学基底产生影响的极紫外光学基底 的清洁处理方法是具有十分重要意义的。

发明内容

本发明为解决现有清洗光学基底的方法均会对其面形造成影响的技术问 题，提供一种能够有效并极大降低清洗过程对光学基底产生影响的极紫外光学 基底的清洁处理方法。

为了解决上述技术问题，本发明的技术方案具体如下：

一种极紫外光学基底的清洁处理方法，该方法包括以下步骤：

第一步：使用有机溶剂对极紫外光学基底进行手工擦拭；

第二步：将手工擦拭后的极紫外光学基底进行超声波清洗；

第三步：将经过超声波清洗的极紫外光学基底进行慢拉脱水处理；

第四步：酒精烘干第三步处理后的极紫外光学基底。

在上述技术方案中，所述使用有机溶剂对极紫外光学基底进行手工擦拭的 具体步骤为：使用蘸有有机溶剂的无尘布在聚光灯下对极紫外光学基底进行擦 拭。

在上述技术方案中，所述有机溶剂为酒精、石油醚和丙酮中的一种或多种。

在上述技术方案中，所述将手工擦拭后的极紫外光学基底进行超声波清洗 的具体步骤为：利用清洗工装夹持待清洗极紫外光学基底，并将其放入超声波 水槽中进行清洗。

在上述技术方案中，所述清洗工装能够将圆形极紫外光学基底侧立固定， 并不与待清洗面接触。

在上述技术方案中，所述超声波水槽是具有三个不同超声波频率的清洗槽 体，三个不同超声波频率依次为40kHz、68kHz、120kHz。