[发明专利]存储器的读取电路及其读取方法

权利要求书

1.一种存储器的读取电路，用于读取并输出所述存储器中存储单元的电位，其特征在于，包括；

第一晶体管，所述第一晶体管的栅极连接一偏置电压，源极连接一第一电源端；

锁存电路，连接于第一节点与第二节点之间，所述第一节点连接所述存储单元，所述锁存电路包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器的输入端连接所述第一节点，输出端连接所述第二节点，且所述第一反相器还连接所述第一晶体管的漏极以及一第二电源端，所述第二反相器的输入端连接所述第二节点，输出端连接所述第一节点，且所述第二反相器还连接所述第一电源端和所述第二电源端；

复位电路，所述复位电路连接所述第二节点；

整形电路，所述整形电路连接所述第二节点。

2.如权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述第一反相器包括第一PMOS晶体管和第一NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的栅极连接所述第二节点，漏极连接所述第一节点，源极连接所述第一晶体管的漏极，所述第一NMOS晶体管的栅极连接所述第二节点，漏极连接所述第一节点，源极连接所述第二电源端；所述第二反相器包括第二PMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管的栅极连接所述第一节点，漏极连接所述第二节点，源极连接所述第一电源端，所述第二NMOS晶体管的栅极连接所述第一节点，漏极连接所述第二节点，源极连接所述第二电源端。

3.如权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述复位电路包括第三反相器和复位晶体管，所述第三反相器的输入端连接一复位电压，输出端连接所述复位晶体管的栅极，所述复位晶体管的源极连接所述第二电源端，漏极连接所述第二节点。

4.如权利要求3所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述第三反相器包括第三PMOS晶体管和第三NMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管和所述第三NMOS晶体管的栅极连接所述复位电压，所述第三PMOS晶体管的源极连接所述第一电源端，所述第三NMOS晶体管的源极连接所述第二电源端，所述第三PMOS晶体管的漏极以及所述第三NMOS晶体管的漏极均连接所述复位晶体管的栅极。

5.如权利要求3所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述复位晶体管为NMOS晶体管。

6.如权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述整形电路为第四反相器，所述第四反相器包括第四PMOS晶体管和第四NMOS晶体管，所述第四PMOS晶体管的栅极和所述第四NMOS晶体管的栅极连接均所述第二节点，所述第四PMOS晶体管的源极连接所述第一电源端，所述第四NMOS晶体管的源极连接所述第二电源端，所述第四PMOS晶体管的漏极和所述第四NMOS晶体管的漏极相连，并作为所述读取电路的输出端。

7.如权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述存储器的读取电路还包括一译码电路，所述译码电路连接在所述第一节点与所述存储单元之间。

8.如权利要求7所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述译码电路包括一第二晶体管，所述第二晶体管的源极连接所述存储单元，漏极连接所述第一节点。

9.如权利要求8所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述第二晶体管为NMOS晶体管。

10.如权利要求1所述的存储器的读取电路，其特征在于，所述第一晶体管为PMOS晶体管。