[发明专利]高效抑制边沿辐射的高密度PCB板及边沿辐射抑制方法

权利要求书

1.一种边沿辐射抑制方法，其特征在于：通过对高密度PCB板的叠层结构进行选择以及对短路过孔的设计来抑制边沿辐射，包括以下步骤：

S1.判断EMI干扰为低频干扰还是高频干扰，若为低频干扰，则使高密度PCB板采用对称式的叠层结构，若为高频干扰，则使高密度PCB板采用非对称式的叠层结构；

S2.计算短路过孔的周期，若短路过孔的周期大于20H，则使高密度PCB板采用非对称式的叠层结构，且使短路过孔只将所有的地层连接起来；若短路过孔的周期小于20H，则使则使高密度PCB板采用对称式的叠层结构，并使短路过孔将所有的地层、所有的电源层连接起来；

S3.若S1、S2确定的叠层结构相冲突，则采用步骤S1确定的叠层结构；

其中所述高密度PCB板的叠层结构采用非对称式的叠层结构或对称式的叠层结构，其中所述非对称式的叠层结构由若干个从上到下依次分布的地层-电源层对构成，其中所述地层-电源层对中地层位于电源层的顶部；所述对称式的叠层结构由若干个从上到下依次分布的电源层-地层-电源层对构成，其中所述地层设置在两层电源层之间；

非对称式的叠层结构和对称式的叠层结构中，相邻的地层与电源层之间设置有一层高介电常数的介质层，地层、电源层与介质层贴合；所述高介电常数的介质层的介电常数大于3.7；

非对称式的叠层结构和对称式的叠层结构中，所有的电源层/地层通过短路过孔进行连接。

2.根据权利要求1所述的边沿辐射抑制方法，其特征在于：所述介质层的厚度为0.4mm。

3.根据权利要求1所述的边沿辐射抑制方法，其特征在于：所述介质层的厚度为0.01mm，介电常数为20。

4.根据权利要求1所述的边沿辐射抑制方法，其特征在于：所述非对称式的叠层结构或对称式的叠层结构中，电源层、地层的厚度一致。

5.根据权利要求1所述的边沿辐射抑制方法，其特征在于：所述短路过孔的半径为0.15mm。