[发明专利]一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种AlInP基蓝光探测器，其特征在于，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；

还包括SiO₂层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO₂层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO₂层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO₂层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。

2.根据权利要求1所述的AlInP基蓝光探测器，其特征在于，所述基底的厚度为200～500μm；第一n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第一p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第二n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第二p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第三p-AlInP层的厚度为0.1～10μm；SiO₂层的厚度为0.1～20μm；第一Au电极的厚度为0.5～10μm；第二Au电极的厚度为0.5～10μm。

3.根据权利要求1所述的AlInP基蓝光探测器，其特征在于，所述基底为GaAs基底。

4.权利要求1所述的AlInP基蓝光探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)将基底在400～700℃下预处理；

(2)在基底上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一n-AlInP层，硅掺杂浓度为1×10¹⁸～9×10¹⁸cm^-3；

(3)在第一n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×10¹¹～9×10¹¹cm^-3；

(4)在第一p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二n-AlInP层；硅掺杂浓度约为1×10¹⁷～9×10¹⁷cm^-3；

(5)在第二n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×10¹¹～9×10¹¹cm^-3；

(6)在第二p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第三p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×10¹⁸～9×10¹⁸cm^-3；

(7)采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积SiO₂层用作绝缘层，所述SiO₂层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触，还与第一n-AlInP层露出的表面相接触；

(8)在SiO₂层的表面采用电子束蒸发制备Au层作为第一Au电极；

(9)在第一n-AlInP层露出的表面上采用电子束蒸发制备Au层作为第二Au电极。

5.根据权利要求4所述的AlInP基蓝光探测器的制备方法，其特征在于，所述基底的厚度为200～500μm；第一n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第一p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第二n-AlInP层厚度为0.1～10μm；第二p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第三p-AlInP层的厚度为0.1～10μm；SiO₂层的厚度为0.1～20μm；第一Au电极的厚度为0.5～10μm；第二Au电极的厚度为0.5～10μm。

6.根据权利要求4所述的AlInP基蓝光探测器的制备方法，其特征在于，所述基底为GaAs基底。