[发明专利]一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及可见光探测器，特别涉及一种AlInP基蓝光探测器及其制备方法。

背景技术

随着移动设备对无线频谱的需求越来越高，造成网络频谱资源相对短缺。随着可见光通信技术的逐渐兴起，不仅能有效的缓解网络频谱枯竭的困境，而且能实现绿色通信。

现有的可见光探测器主要由硅锗半导体为主要材料制作而成其具有数据传输速率高、无有害射频辐射、安全性好等特点，但是由于响应峰值与主光源发光波长(蓝光波段)不一致导致探测器灵敏度低，噪声大；另外，Si本身的禁带宽度较窄，对蓝光响应度不高，需要加滤波片，也从而增加了成本、增大体积、减弱入射光信号等。因此，为了目前产业发展需求，急切需要设计一种针对蓝光波段的新型探测器。

发明内容

为了克服现有技术的上述缺点与不足，本发明的目的在于提供一种AlInP基蓝光探测器，可以实现直接对蓝光波段电磁波的针对性吸收，而不需要额外添加滤波片。

本发明的另一目的在于提供上述AlInP基蓝光探测器的制备方法。

本发明的目的通过以下技术方案实现：

一种AlInP基蓝光探测器，包括依次设置的基底、第一n-AlInP层、第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层、第三p-AlInP层；

还包括SiO₂层、第一Au电极和第二Au电极；所述SiO₂层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触；所述SiO₂层还与第一n-AlInP层的露出的表面相接触；所述第一Au电极设于SiO₂层的表面；所述第二Au电极设于第一n-AlInP层的露出的表面。

所述基底的厚度为200～500μm；第一n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第一p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第二n-AlInP层的厚度为0.1～10μm；第二p-AlInP层的厚度为0.1～20μm；第三p-AlInP层的厚度为0.1～10μm；SiO₂层的厚度为0.1～20μm；第一Au电极的厚度为0.5～10μm；第二Au电极的厚度为0.5～10μm。

所述基底为GaAs基底。

所述的AlInP基蓝光探测器的制备方法，包括以下步骤：

(1)将基底在400～700℃下预处理；

(2)在基底上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一n-AlInP层，硅掺杂浓度为1×10¹⁸～9×10¹⁸cm^-3；

(3)在第一n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第一p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×10¹¹～9×10¹¹cm^-3；

(4)在第一p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二n-AlInP层；硅掺杂浓度约为1×10¹⁷～9×10¹⁷cm^-3；

(5)在第二n-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第二p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×10¹¹～9×10¹¹cm^-3；

(6)在第二p-AlInP层上采用金属有机化合物气相外延技术生长第三p-AlInP层，铍掺杂浓度为1×10¹⁸～9×10¹⁸cm^-3；

(7)采用等离子体增强化学气相沉积技术沉积SiO₂层用作绝缘层，所述SiO₂层与第一p-AlInP层、第二n-AlInP层、第二p-AlInP层的侧面相接触，还与第一n-AlInP层露出的表面相接触；

(8)在SiO₂层的表面采用电子束蒸发制备Au层作为第一Au电极；

(9)在第一n-AlInP层露出的表面上采用电子束蒸发制备Au层作为第二Au电极。

与现有技术相比，本发明具有以下优点和有益效果：

1.本发明的AlInP基蓝光探测器，采用了AlInP材料作为吸收材料，主要针对蓝光波段电磁波进行有效吸收。