[发明专利]支承装置和包含它的衬底处理设备

权利要求书

1.支承衬底的支承装置的制造方法，所述制造方法包括：

提供由非传导材料制成并被构造成支承所述衬底的支承板；

提供布置在所述支承板之下并由含有传导材料的材料制成的底板；

在所述底板的顶表面上形成由铝构成的第一金属膜；

在所述支承板的底表面上沉积第二金属膜，其由与第一金属膜相同的材料构成；和

经由钎焊工艺通过对在所述支承板与所述底板之间提供的由铝构成的作为金属网的居间体进行加热熔化来将所述支承板与所述底板接合，用于缓冲热膨胀。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其还包括：

在沉积在所述支承板的底表面上的第三金属膜上沉积所述第二金属膜。

3.根据权利要求2所述的制造方法，其中所述第三金属膜含有钛(Ti)。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述底板具有其中添加剂与所述传导材料混合的传导复合材料，以最小化由于底板与支承板之间热膨胀率的差异导致的热应力，

其中所述传导材料含有铝(Al)，并且

其中所述添加剂含有碳化硅(SiC)、氧化铝(Al₂O₃)、硅(Si)、石墨和玻璃纤维之一。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中所述传导复合材料含有10～40％的铝(Al)。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其中所述底板包括通过钎焊工艺相互接合的上底板和下底板，

其中钎焊所述上底板和下底板的温度高于钎焊所述底板和支承板的温度。

7.支承装置，其包括：

非传导材料的支承板，所述支承板包括通过静电力吸附衬底的电极；

布置在所述支承板之下的底板，所述底板与高频电源连接，其具有由铝构成的第一金属膜在其上沉积的顶表面；和

接合部件，其介于所述支承板和所述底板之间并被构造成经由钎焊工艺通过对用作居间体的与所述第一金属膜相同的材料的金属网进行加热熔化来形成以固定所述支承板和所述底板，

其中，所述支承板具有底表面，与所述第一金属膜相同材料的第二金属膜在其上沉积。

8.根据权利要求7所述的支承装置，其中所述第二金属膜在所述支承板的底表面上沉积的第三金属膜中沉积，并且

其中所述第三金属膜含有钛(Ti)。

9.根据权利要求7所述的支承装置，其中所述底板具有传导复合材料，在所述传导复合材料中碳化硅(SiC)、氧化铝(Al₂O₃)、硅(Si)、石墨和玻璃纤维之一添加到作为传导材料的铝(Al)中，以最小化由于所述支承板与底板之间热膨胀率的差异导致的热应力，

其中所述传导复合材料含有10～40％的所述传导材料。

10.衬底处理设备，其包含：

被构造成具有处理空间的室；

放置在所述室中并被构造成支承衬底的支承装置；

被构造成将加工气体供应到所述处理空间中的气体供应装置；和

被构造成从所述加工气体产生等离子体的等离子体源，

其中所述支承装置包括：

与高频电源连接并被构造成具有在其上沉积由铝构成的第一金属膜的顶表面的底板；

放置在所述底板上的非传导支承板，所述非传导支承板被构造成包括通过静电力吸附所述衬底的电极、被构造成具有在其上沉积与所述第一金属膜相同材料的第二金属膜的底表面；和

介于所述底板和支承板之间并被构造成经由钎焊工艺通过加热熔化来接合所述支承板与所述底板的与所述第一金属膜相同材料的金属网。

11.根据权利要求10所述的衬底处理设备，其中所述底板具有传导复合材料，在所述传导复合材料中碳化硅(SiC)、氧化铝(Al₂O₃)、硅(Si)、石墨和玻璃纤维之一添加到作为传导材料的铝(Al)中，以最小化由于所述支承板与底板之间热膨胀率的差异导致的热应力，

其中所述传导复合材料含有10～40％的所述传导材料。