[发明专利]支承装置和包含它的衬底处理设备

说明书

提供了支承衬底的支承装置的制造方法。所述制造方法包括：提供由非传导材料制成并被构造成支承衬底的支承板，提供布置在所述支承板之下并由含有传导材料的材料制成的底板，和在所述底板的顶表面上形成第一金属膜并通过钎焊工艺将所述支承板与所述底板接合。

技术领域

本公开涉及衬底处理设备，更具体地，涉及利用等离子体的衬底处理设备。

背景技术

在制造半导体器件中，通过各种各样的方法例如光刻、蚀刻、灰化、离子注入、薄膜沉积和洗涤，形成具有设计图案的衬底。蚀刻法一般用于从在衬底上形成的膜除去特定的区域。蚀刻通常分类为干蚀刻和湿蚀刻。干蚀刻使用等离子体蚀刻设备实行。等离子体通常通过在腔室中形成电磁场而产生。运行这样的电磁场来激发供应到所述腔室中的加工气体成为等离子态。

等离子体是指离子、电子或原子团形成的离子型气态。等离子体在很高的温度、强电场或RF电磁场下产生。半导体器件制造与利用等离子体的蚀刻过程一起实行。蚀刻过程通过包含在等离子体中的离子型粒子碰撞衬底来实行。

静电吸盘一般包括支承板和金属体。所述支承板通过有机粘结剂例如硅或丙烯酸粘结剂与所述金属体接合。然而，硅的耐热性高但是热阻低。因此，硅类即使对于衬底处理期间的生热都是稳定的，但是不足以阻断金属体和支承板之间的热传递。丙烯酸类热阻高但是缺乏耐热性。丙烯酸类有效阻止支承板和金属体之间的热损失，但是易受到衬底处理期间产生的热的损害。

如上介绍，现今在衬底处理中使用的有机粘结剂不利于耐久并且对于由于静电吸盘的热波动导致的加工温度上升是脆弱的，而且在高温过程期间可以被熔化。

发明内容

本公开的方面是解决至少以上提到的问题和/或缺点和提供至少下面描述的优点。因此，本公开的一个方面是在用于衬底处理的静电吸盘中提供具有高度耐热性的支承装置，其制造方法，和包括所述支承装置的衬底处理设备。

本公开的另一个方面提供了能够确保界面稳定性的支承装置，其制造方法，和包括所述支承装置的衬底处理设备，所述支承装置在用于衬底处理的静电吸盘中钎焊非传导支承板与传导复合材料底板。

本公开的又一个方面提供了支承装置，其制造方法，和包括所述支承装置的衬底处理设备，所述支撑装置能够防止由于传导材料的缺陷导致的瑕疵同时在用于衬底处理的静电吸盘中钎焊非传导支承板与传导复合材料底板。

根据本公开的一个方面，支承衬底的支承装置的制造方法可以包括：提供由非传导材料制成并被构造成支承所述衬底的支承板，提供布置在所述支承板之下并由含有传导材料的材料制成的底板，和在所述底板的底表面上形成金属膜并通过钎焊工艺将所述支承板与所述底板接合。

根据本公开的一个方面，支承衬底的支承装置的制造方法可以包括：提供由非传导材料制成并被构造成支承所述衬底的支承板，提供布置在所述支承板之下并由含有传导材料的材料制成的底板，和在所述底板的顶表面上形成第一金属膜并通过钎焊工艺将所述支承板与所述底板接合。

另外，所述制造方法还可以包括在所述钎焊工艺之前在所述支承板的底表面上沉积第二金属膜，其由与第一金属膜相同的材料制成。

另外，所述制造方法还可以包括通过作为金属板的居间体将所述支承板与所述底板接合，用于缓冲热膨胀。

另外，所述金属板可以含有铝(Al)并可以形成网状物。

另外，所述制造方法还可以包括通过作为金属填料的居间体将所述支承板与所述底板接合。

另外，所述金属填料可以含有铝(Al)。

另外，所述第一金属膜和第二金属膜可以含有铝(Al)。

另外，所述制造方法还可以包括在沉积在所述支承板的底表面上的第三金属膜上沉积所述第二金属膜。