[发明专利]半集总微波带通滤波电路及滤波器

说明书

技术领域

本发明涉及滤波技术领域，具体涉及一种半集总微波带通滤波电路及滤波器。

背景技术

近年来，国内外开展了一些列关于滤波电路的研究，通过对传统滤波电路的不断改进和变换，在滤波器的性能和实现形式方面取得很多研究成果。广泛应用于功率放大器前端和雷达天线馈电部分，为解决系统带外噪声提供了有效解决方案。

随着工作频率不断提高，通过低通原型滤波器综合变换出来的带通滤波器，电容电感值不断变小，分布参数影响逐渐明显。传统的滤波电路和实现形式在高频/射频波段受到了很大的限制。本发明针对以上问题，采用在带通滤波器端口匹配高低通包络，将电容电感值变换到合理的范围，利用半集总元器件降低分布参数对电路的影响，成功将LC滤波器的应用频率延伸微波频段。

发明内容

本发明克服了现有技术的不足，提供一种能够将LC滤波器的工作频率延伸至微波频段的半集总微波带通滤波电路及滤波器。

考虑到现有技术的上述问题，根据本发明公开的一个方面，本发明采用以下技术方案：

一种半集总微波带通滤波电路，它包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第五电容C5、第六电容C6、第七电容C7、第八电容C8、第九电容C9、第十电容C10、第十一电容C11、第一电感L1、第二电感L2、第四电感L4、第五电感L5、第六电感L6、第七电感L7、第九电感L9，所述第一电容C1的一端与输入端连接，所述第一电容C1的另一端接地，所述第一电感L1的一端与输入端连接，所述第一电感L1的另一端与所述第二电容C2、第三电容C3连接，所述第二电容C2接地，所述第三电容C3再与所述第二电感L2一端连接，所述第二电感L2另一端接地，所述第四电容C4与所述第二电感L2并联，所述第五电容C5和第四电感L4并联后设置在所述第二电感L2一端与所述第五电感L5一端之间，所述第五电感L5另一端接地，所述第六电容C6与所述第五电感L5并联，所述第六电感L6与所述第七电容C7并联后设置在所述第五电感L5一端与所述第七电感L7一端之间，所述第七电感L7另一端接地，所述第八电容C8与所述第七电感L7并联，所述第九电容C9一端与所述第七电感L7一端连接，所述第九电容C9另一端与所述第九电感L9一端连接，所述第九电感L9另一端与输出端连接，所述第十电容C10一端与所述第九电感L9一端连接，所述第十电容C10另一端接地，所述第十一电容C11一端与所述第九电感L9另一端连接，所述第十一电容C11另一端接地。

为了更好地实现本发明，进一步的技术方案是：

根据本发明的一个实施方案，所述第二电感L2上并联一个第三电感L3。

根据本发明的另一个实施方案，所述第七电感L7上并联一个第八电感L8。

本发明还可以是：

一种半集总微波带通滤波器，它包括外壳，所述外壳上设置第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、第四介质基板、第五介质基板、第六介质基板、第七介质基板；所述第一介质基板与输入引线连接，所述第一介质基板上连接第一多层瓷介片式电容，所述第一多层瓷介片式电容并与所述外壳连接；所述第二介质基板上连接第二多层瓷介片式电容，所述第二多层瓷介片式电容并与所述外壳连接，所述第一介质基板与所述第二介质基板通过第一空心电感连接，所述第二介质基板上设置第三多层瓷介片式电容，所述第三多层瓷介片式电容通过导线与所述第三介质基板连接，所述第三介质基板分别通过第四多层瓷介片式电容和第二空心电感与第四介质基板连接，所述第四多层瓷介片式电容和第二空心电感并联，所述第三介质基板还通过第三空心电感与外壳连接；所述第四介质基板通过第五多层瓷介片式电容和第四空心电感与所述第五介质基板连接，所述第四介质基板还通过第五空心电感与外壳连接；所述第五介质基板通过第六空心电感与所述外壳连接，以及所述第五介质基板通过导线与设置于第六介质基板上的第六多层瓷介片式电容连接；所述第六介质基板还通过第七多层瓷介片式电容与外壳连接，所述第六介质基板与第七介质基板之间设置第七空心电感，所述第七介质基板通过第八多层瓷介片式电容与所述外壳连接，所述第七介质基板与输出引线连接。

根据本发明的另一个实施方案，所述外壳采用镀金可伐合金。

根据本发明的另一个实施方案，所述输入引线和输出引线分别与所述外壳采用玻封绝缘子固定，且所述输入引线和输出引线分别与所述外壳之间绝缘。

根据本发明的另一个实施方案，所述第一介质基板、第二介质基板、第三介质基板、第四介质基板、第五介质基板、第六介质基板、第七介质基板分别通过锡焊固定于外壳上，其背面与所述外壳完全接触。