[发明专利]固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构及封装方法

权利要求书

1.固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构，包括固态荧光体、透明有机硅胶、LED芯片、围坝胶体和基板，所述LED芯片和所述围坝胶体设置于所述基板之上，且所述围坝胶体环设于所述LED芯片的外围，其特征在于：还包括固定于所述基板上的导热柱体，且导热柱体避开LED芯片设置；所述固态荧光体放置于该导热柱体之上，且所述固态荧光体的周围还与围坝胶体连接固定，在所述固态荧光体和基板中间的缝隙内填充所述透明有机硅胶。

2.根据权利要求1所述的固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构，其特征在于：所述固态荧光体的基材为常温下呈现为固体状态的材质，同时该固态荧光体对于400-500nm的可见光或250-400nm的紫外光具有吸收并激发出380-780nm可见光波段光线的荧光效用。

3.根据权利要求2所述的固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构，其特征在于：所述固态荧光体的基材为透明陶瓷、玻璃或PC。

4.根据权利要求1所述的固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构，其特征在于：所述导热柱体对于380-780nm可见光或250-400nm的紫外光有80%的透过率或高于80%的反射率。

5.根据权利要求1或4所述的固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构，其特征在于：所述导热柱体的导热率高于1.0W/m.K。

6.根据权利要求1或4所述的固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构，其特征在于：

当LED芯片为正装芯片时，所述导热柱体的高度为高于或等于LED芯片焊线的线弧最高点；当LED芯片为倒装芯片时，所述导热柱体的高度为高于或等于LED芯片的高度；

所述导热柱体的分布优选为多颗均匀分布于正装LED芯片的间隙中；或者所述导热柱体集中少量分布；或者所述倒装LED芯片密集分布。

7.根据权利要求1所述的固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构，其特征在于：所述LED芯片的发射光谱为峰值波长在400-500nm的可见光或峰值波长在250-400nm的紫外光。

8.根据权利要求1所述的固态荧光体集成光源的双通道导热封装结构，其特征在于：所述基板对于可见光有高于80%的反射率。

9.固态荧光体集成光源的双通道导热封装方法，其特征在于：

步骤10、将基板的中间部分裸露出镜面铝的镜面层形成固晶区，基板的外圈部分压有BT树脂层，BT树脂层上设有正负电极及电路；

步骤20、在基板的固晶区内均匀布置上LED芯片，同时在LED芯片排布的空隙内布置导热柱体；

步骤30、在150℃下烘烤2H，待LED芯片和导热柱体与基板完成粘接后进行焊线作业；

步骤40、在固晶区外围使用白色有机硅胶制作一圈闭合的围坝，置于150℃的环境下烘烤30min完成完全固化；

步骤50、完成上述作业后在围坝胶体所形成的杯体内注入适量的透明有机硅胶，再将荧光陶瓷压上并固定；

步骤60、将固定后的荧光陶瓷光源置于温度为60℃，时间为0.5H，或温度为80℃，时间为0.5H，或温度为150℃，时间为1H的条件下进行充分的热固化。

10.如权利要求9所述的固态荧光体集成光源的双通道导热封装方法，其特征在于：

所述步骤40中，固化温度为150℃，固化时间为30min；

所述步骤50具体是：焊线完成后使用点胶方法注入适量的透明有机硅胶，所述透明有机硅胶为AB组分配比后的透明有机硅胶；再使用60℃的温度进行加热，加速有机硅胶的流动，待气泡排出胶水流平后，然后将荧光陶瓷压上并固定；

所述LED芯片为三安的22*35正装芯片，芯片高度为120um；

所述导热柱体为35um×35um×220um的氧化铝透明陶瓷柱体。