[发明专利]具有不同厚度的堆叠金属层

权利要求书

1.一种阵列单元，与另一阵列单元耦合，其包括：

第一导电线和第一互补导电线；

第二导电线；

第一存储装置，其经配置有第一存储节点、第一互补存储节点、第一较高电力供应节点和第一较低电力供应节点；以及

第一存取装置和第二存取装置，其经配置以响应于所述第二导电线处的第一信号将对应的所述第一导电线和第一互补导电线耦合到对应的所述第一存储节点和第一互补存储节点；

其中

所述第一导电线包括第一导电层中的第一金属线的一部分且所述第一互补导电线包括所述第一导电层中的第二金属线的一部分；

所述第一较高电力供应节点包括所述第一导电层中的第三金属线的一部分；

所述第二导电线包括第二导电层中的第四金属线的一部分，其中所述第一导电层安置于所述第二导电层的第一侧上；

所述第一较低电力供应节点包括第三导电层中的第五金属线的一部分，其中所述第三导电层安置于所述第二导电层的第二侧上；

所述第二导电线的所述第四金属线进一步耦合到不同于所述第三导电层的第四导电层中的金属线的一部分；

所述第三导电层位于所述第二导电层及所述第四导电层间；

所述第二导电层的厚度调整至比所述第三导电层的厚度厚一第一因数，以保持所述第二导电层的金属线的单位长度电阻恒定；

所述第四导电层的厚度调整至比所述第三导电层的厚度厚一第二因数，所述第一因数以及所述第二因数的上限取决于金属沟槽的最大金属间距和最大深度，所述第一因数以及所述第二因数的下限取决于所述第二导电层的金属线的电阻，其中所述第二因数大于等于所述第一因数；且

所述第一存取装置包含场效应晶体管，所述场效应晶体管包含栅极结构，所述第四金属线连接于所述第一金属线，以及所述第一金属线连接于所述场效应晶体管的所述栅极结构；

其中，所述另一阵列单元包括：

第三导电线和第三互补导电线；

第四导电线；

第二存储装置，其经配置有第二存储节点、第二互补存储节点、第二较高电力供应节点和第二较低电力供应节点；以及

第三存取装置和第四存取装置，其经配置以响应于所述第四导电线处的第二信号将对应的所述第三导电线和所述第三互补导电线耦合到对应的所述第二存储节点和所述第二互补存储节点；

其中

所述第一较低电力供应节点进一步包括所述第二导电层中的第六金属线的一部分和第七金属线的一部分；

所述第六金属线和所述第七金属线平行于所述第四金属线形成且形成于所述第四金属线的相对侧上；

所述第五金属线正交于所述第六金属线和所述第七金属线；

所述第三导电线包括所述第一导电层中的第八金属线的一部分且所述第三互补导电线包括所述第一导电层中的第九金属线的一部分；

所述第二较高电力供应节点包括所述第一导电层中的第十金属线的一部分；

所述第四导电线包括所述第二导电层中的第十一金属线的一部分；

所述第二较低电力供应节点包括所述第一导电层中的第十二金属线的一部分和第十三金属线的一部分以及所述第二导电层中的第十四金属线的一部分；

所述第十二金属线和所述第十三金属线形成于一对所述第八金属线和所述第九金属线的相对侧上；且

所述第十四金属线形成于所述第十一金属线的一侧上。

2.根据权利要求1所述的阵列单元，其中所述第二导电层的所述厚度比所述第一导电层的厚度厚第三因数且比所述第三导电层的厚度厚所述第一因数，所述第一因数及所述第三因数等于至少15％。

3.根据权利要求2所述的阵列单元，其中所述第二导电线的所述第四金属线的所述部分耦合到不同于所述第二导电层的层。

4.根据权利要求1所述的阵列单元，其中

所述第四导电层中的所述金属线与所述第四金属线平行延伸；且

所述第四导电层具有比所述第二导电层的厚度大至少10％的厚度。

5.根据权利要求1所述的阵列单元，其中

所述第四导电层中的所述金属线与所述第四金属线平行延伸；

所述第四导电层的厚度至少等于所述第二导电层的厚度。